7nm工艺进展：TSMC良率“健康” 三星还得等

Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂，3－4年后准备生产7nm工艺，拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工艺的34％，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性质，他们要等EUV光刻工艺成熟。

在ISSCC国际固态电路会议上，各大半导体公司都公布了自家半导体技术的进展，AMD昨天提到的Ryzen处理器的核心面积就是在ISSCC会议上公布的，EEtimes现在又报道了TSMC和三星的7nm工艺进展情况。

TSMC的7nm 256MB SRAM芯片

TSMC虽然在16nm FinFET上吃过亏，不过他们在10nm、7nm工艺上野心勃勃，今年上半年将使用10nm工艺为苹果量产A11处理器，这次公布的7nm工艺进展看起来也很顺利。TSMC公开了7nm工艺制造的256Mb SRAM芯片，位单元面积只有0．027um2，7层金属层工艺，整个核心面积也只有42mm2。根据TSMC存储业务部门的高管Jonathan Chang所说，TSMC的7nm工艺核心面积只有16nm工艺的0．34倍。

只有良率问题，TSMC在论文中表示7nm工艺良率很“健康”（healthy），听上去很有信心。

三星展示的8Mb SRAM芯片

与此同时，三星也公开了7nm工艺的部分信息，不过他们介绍的SRAM芯片容量只有8Mb，更像是研究而非开发性质。三星同时针对现有设备及EUV工艺开发了两种修复工艺，显然EUV工艺的会更好，不过修复处理并不是半导体制造的必须过程，三星只是验证EUV工艺可以做到什么。

根据三星去年公布的消息，他们在7nm工艺上是想等到EUV工艺成熟，业界分析认为EUV工艺在2020年才会达到量产水平。