详解LED衬底第三代半导体SiC技术的崛起

　　第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。

　　目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限，难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性，将成为突破口，正在迅速崛起。

　　SiC作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合。

　　以SiC为代表的第三代宽禁带半导体技术在LED半导体照明领域获得重要应用之后，不断取得新突破，将被广泛应用于光电子器件、电力电子器件等领域，以其优异的半导体性能在各个现代工业领域都将发挥重要革新作用，应用前景和市场潜力巨大。

　　其中，科锐SiC基MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)技术获得显著提升，能够在1700V电压下工作，开关损耗仅为采用传统Si基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的1/6，在实现高性能的同时还能减少配套零部件的物料成本，从而在系统层面显著节约开支，可完全颠覆电源转换领域现有规则，开启更多令人振奋的设计选项。