14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕
来源:Timeless落尘发布时间:2015-01-14
询问 AI14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺,14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。
全球代工的战火再起,由之前的28nm向16nm/14nmFinFET工艺延伸。28nm制程可以认为是半导体业的拐点。因为一直以来依尺寸缩小所推动产业进步至此发生巨大的变化,通常每两年前进一个工艺节点,减少制造成本约50%的节奏,到了28nm以下开始减缓,部分情况下成本反而会有所上升。反映到产业层面,企业向更小尺寸迈进的动力己不如从前。许多顶级的IDM大厂,从28nm开始执行轻资产策略(fablite),拥抱代工。这导致全球代工厂如日中天。
特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。全球代工第一阵营中,原先有台积电、联电及格罗方德(Globalfoundries),现在IDM超级大厂三星及英特尔也加入代工行列,导致代工第一阵营中的争斗形势呈现复杂化。
AMD获14nm FinFET工艺能否站起
全球第二大晶圆代工厂GLOBALFOUNDRIES(以下简称GF)是从AMD分出去的,而且也是AMD最重要的合作伙伴之一,虽然傍上的中东土豪很有钱,但是土豪们并不懂技术,GF公司独立初期在28nm工艺上进展不顺,AMD第一代Llano APU就深受其害,之前签订的长期供货协议也让AMD宁愿选择赔钱也要脱离泥坑,这事直到现在都在影响AMD的业绩。不过现在AMD有点盼头了,GF日前宣布跟三星电子达成了14nm FinFET工艺授权协议,新一代工艺应该会稳定下来了。
三星电子、GF以及IBM都是通用开放联盟(Common Platform Alliance)的成员,三者共同投资半导体工艺研发,技术共享,此前就有消息称他们将在14nm节点上启用FinFET工艺,Intel的说法是3D晶体管,他们在22nm节点上就已经使用了这种工艺。
双方签署的是多年授权协议,目前14nm FinFET工艺的PDK(process design kits,处理器设计套件)已经有了,客户已经可以使用新模型、设计工具及技术文档开始设计工作了,预计今年底会正式量产14nm-FinFET工艺
GF与三星的声明说是二者合作,实际上是三星授权14nm FinFET工艺给GF公司。GF之前也曾推出过14nm-XM工艺,这种工艺将使用FinFET工艺,但是会混合20nm工艺的部分优点,预计在2014年量产。不过回头看看GF两年的工艺进展,别说14nm-XM工艺了,20nm工艺也没见他们规模量产,目前只有TSMC的20nm工艺才正式量产。
所以GF与三星的14nm FinFET授权协议很可能意味着GF自家的14nm-XM工艺玩完了,因为三星的14nm FinFET工艺优点更多,三星开发14nm FinFET工艺的时间更长,经验更丰富。
第二个受影响的则是AMD,所以AMD全球副总Lisa Su也在声明中表态了,她表示GF、三星的合作给了AMD一个增强他们技术IP的机会,双方的先进工艺将为AMD新一代产品奠定基础。
最后,三星、GF的合作也让之前GF与苹果的暧昧关系更有根据了,此前就有传闻称GlobalFoundries也可能加入苹果代工阵营,还有三星的工程师帮助GF建厂。苹果的去三星化人尽皆知,今年的A系处理器已经基本确定会有TSMC的参与,未来也可能会有GF的份,如果他们的制程工艺能够稳定下来。
苹果与高通订单成风向标
三星与格罗方德联盟可能提前进入14nm量产,高通与苹果的订单会成争夺焦点。
全球代工的客户70%来自fabless,而依目前的态势,其中高通与苹果两家大户的订单成为争夺焦点。反映出半导体业的推动力正由PC转向移动终端,包括手机及平板电脑等,整个产业供应链发生大的改变。
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