中国电子芯片关键技术实现重大突破

　　据新华网报道，中国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管（IGBT）专业芯片生产线近日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成。

　　业内人士认为，这标志着中国在被认为是电力电子行业“皇冠上的明珠”的关键技术上实现重大突破，打破了国外在高端IGBT芯片技术上的长期垄断，对推动节能减排、培育战略性产业、保障经济安全具有重大战略意义。

　　“为了实现‘IGBT’国产化之梦，中国南车集合了上百位专家，经过20年的艰苦研发，累计投入超过30亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了３０多项重大难题，终于掌握了该器件的成套技术。”中国工程院院士、中国南车株洲电力机车研究所总经理丁荣军说。

　　IGBT技术的研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志，包括芯片、模块、封装、检测和应用等多项技术。其中，芯片技术含量最高，以8英寸IGBT芯片为例，其上面布满128块小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅为人体两根头发丝，但其内部包含了逾6万个称之为“元胞”的基本单元。

　　作为世界功率半导体器件最先进的技术，全球第一只IGBT于1982年出现在美国GE公司。上世纪90年代，受到轨道交通交流传动应用需求的强力牵引，IGBT技术与产品迅速发展，逐步成为交流传动的主流器件。

　　尽管早在1996年，中国就把发展IGBT芯片及模块产业化作为重点项目，但是一直未能取得实质性进展，造成全球IGBT技术一直被欧洲、日本等少数几个国家所垄断。

　　中国的IGBT芯片及其相关产品99%以上依赖进口，国内在芯片、封装、装置、系统还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。特别是在1200伏以上中高压IGBT技术及产业化能力上，与国外仍有较大差距。

　　据了解，中国南车这条自主研发的8英寸IGBT生产线，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。这也是全球第二条8英寸IGBT芯片线，将真正改变中国在电力电子器件领域受制于人的局面，同时也会大大降低该产品在国际市场的价格。

　　南车时代电气IGBT事业部总经理刘国友告诉记者，早在2008年中国南车并购英国丹尼克斯半导体公司，准备进军IGBT市场时，国外厂商就把IGBT产品价格下降了20%左右。

　　业内专家认为，中国掌握被称为“大国重器”的高端IGBT技术并取得产业化突破，不仅是对我国高端制造技术和自主创新的认可，更具有多重战略意义。

　　丁荣军表示，为进一步整合国内IGBT产业从材料到应用的上、下游优势资源，中国南车正在牵头策划成立中国IGBT技术创新与产业联盟。同时，按照全球IGBT技术发展趋势，正在研发第五代、预研第六代IGBT技术，以持续确保我国在IGBT产业上的技术支撑与核心竞争力。