在美国投资170亿美元！芯片巨头官宣3nm工厂，目标是超越台积电

文/谛林审核/子扬校对/知秋

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日前根据媒体报道，台积电为了赶进度、要求建造商加班赶工，在春节期间支付额外的奖金，用于激励3nm新建工程的建设。据笔者了解，这是由于台积电有3nm进入量产时，月产12英寸晶圆超60万片的目标。

此外，台积电还计划在美国建设工厂。同时台积电更是透露出，准备在日本设立全资子公司的计划，并为此斥资1.86亿美元。

由此可见，台积电正在想方设法提升产能，以应对接下来全球范围内愈发严重的晶圆紧缺状况。值得一提的是，在台积电努力扩大产能、提升自身实力的同时，一位台积电的老对手也没有闲着。

2月5日集微网消息，美国得克萨斯州官方文件显示，韩国科技巨头——三星电子，正在考虑将晶圆工厂建在奥斯汀市。

此外，该文件还显示，三星电子此次在美国建设的工厂，总投入约为170亿美元，并将为当地创造1800个工作岗位。

而在2020年，台积电在美国亚利桑那州建设的晶圆厂，总投资为120亿美元。这座新工厂计划在2024年实现量产。

而三星在美国建设的新晶圆厂，投入比台积电美国工厂多了50亿美元。据文件透露，三星电子的美国工厂计划2021年第二季度破土动工，预计2023年第三季度就能投入运营。

显然，同为世界级巨头的三星，并不甘心屈居台积电之后，做一个“万年老二”。

自2020年以来，三星电子就一直在实施赶超台积电的计划。公司先是官宣3nm工艺将于2022年实现量产，在工艺研发进度上追平台积电；然后又追随台积电的步伐，尽可能提升产能。

据笔者了解，为了追上台积电，三星甚至曾“威胁”ASML，要求后者必须向三星电子供应一定数量的EUV光刻机。

众所周知，随着芯片制程的萎缩，晶圆代工厂需要的高端光刻机数量也越来越多。但荷兰巨头ASML的年产能有限，这就导致台积电和三星势必要斥巨资争夺稀有的EUV光刻机。

相比之下，计划在3nm工艺上使用GAA新技术的三星电子，更需要数量充足的EUV光刻机。

但就目前来看，台积电方面获得的EUV光刻机数量更多。而且，台积电在3nm工艺上，依旧保守采用FinFET工艺。

在你看来，三星能否成功在2022的时间节点上超越台积电？

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