微影技术推动半导体工业飞跃性成长

　　半导体工业在光学微影技术的帮助下，长期形成持续且快速的成长态势，但光学微影在面对更精密的制程已开始出现应用瓶颈，尤其在小于0.1微米或更精密的制程，必须使用先进光学微影或非光学微影术予以克服…

　　早期半导体工业在光学微影技术(Optical Lithography)支持下，不仅可以持续改善集成电路的元件特性，单一元件的集积度大幅提升，不仅使制造成本压低，也让产品的性能持续提升，但光学微影技术毕竟有其使用限制，尤其在面对更微小的线路制程需求时，就会有其使用瓶颈与限制产生，这时非光学微影术逐渐受到重视，甚至成为半导体未来跳跃性发展的关键性技术。

　　微影术为半导体产业发展基础

　　微影术(Lithography)可以说是半导体产业的基础，集成电路、半导体之所以得以快速发展，芯片功能越来越多、单价却越来越便宜，说是归功于微影术的帮助可以说是一点都不为过，尤其是芯片的复杂规模已经自LSI(large-scale integrated circuit，单一元件内达到1,000个以内的逻辑闸)，扩展至VLSI(very large-scale integrated circuit，单一元件内达到1万个以内的逻辑闸)，甚至达到集积100万个逻辑闸的ULSI(ultra large scale integrated circuit，单一元件内达10万个以内的逻辑闸)的集积度水平，而在面对越来越多逻辑闸的集成需求，原有的制程技术已经受到极大挑战。

　　集成电路IC制程的关键技术，即微影技术，也是半导体制作流程中最关键的核心技术，以存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)集成电路元件为例，分析每个世代的DRAM产品大约仅能因应市场需求约2至3年，而每个晶粒(Die)的尺寸越小，代表着单一晶圆可以容纳的芯片(Die)数越多，为持续保有市场竞争力，DRAM产业的Die单位面积则是以每年以25%~30%尺寸缩减速度进行，不仅芯片的体积逐年递减，单位晶圆可以切割的芯片数也正持续增加。

　　从实际的产品检视发现，DRAM自256K进步到1M DRAM，光是设计规则就能缩小0.6~0.7倍水平，而这个进展趋势随着容量增加微缩体积比例也越来越大，但微缩比例也在64M、256M DRAM逐步出现微缩比例趋缓现象。