高通/三星/华为/苹果/联发科10nm手机处理器之战 将鹿死谁手？

　　魅族新机魅蓝X即将发布，根据之前的爆料信息，除了亮眼的外观设计与Flyme 6系统，魅蓝X还将首发搭载联发科Helio P20处理器，或许是这款新机最大的亮点。

　　Helio P20是联发科首颗采用16nm FinFET制程工艺的处理器，同时是全球首款支持LPDDR4X规格内存的移动处理器，内存工作电压由1.1V大幅降低至0.6V；AP部分仍然是8个Cortex-A53核心，但主频提升到2.3GHz；GPU部分为Mali-T880 MP2，相比P10主频由700MHz提升至900MHz；遗憾的是，存储仍停留在eMMC 5.1标准。

　　随着联发科Helio P20处理器登场，2016年智能手机处理器市场已成定局，各个厂商早已摩拳擦掌，开始进入10nm级军备竞赛，2017年将或许是智能手机处理器竞争最激烈的一年。

　　今天，小编就和大家一起展望一下2017年智能手机的旗舰级处理器，畅想未来一年的旗舰机在全新处理器的加持下将会有怎样的进步。

　　▲近日，产业链人士以手头的相关资料制作了高通、联发科、华为三家明年新旗舰处理器的参数对比图表。

　　1、高通骁龙835

　　高通于11月17日公布了下一代旗舰级骁龙处理器——骁龙835，将采用三星10nm FinFET制程工艺，支持高通新一代快充技术Quick Charge 4（即QC 4）。

　　那么，10nm到底有多小呢？它是几十个水分子的尺寸，也可以说是一根头发丝直径的千分之一。10nm制程芯片面积远远小于14nm制程芯片，这意味着厂商有更多的空间来为智能手机设计更大的电池或更纤薄的机身。

　　与其上一代14nm FinFET工艺相比，三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。工艺的改善加上更先进的芯片设计，能够显著延长手机续航时间。

　　骁龙835可能将回归big.LITTLE八核设计，采用Kyro 200架构，频率可达3.0GHz以上；GPU部分为Adreno 540；LPDDR4X内存以及UFS 2.1闪存标准都将是必不可少的；骁龙835也将是全球首款搭载X16千兆基带的移动SoC，支持Cat.16，下行速率可达1Gbps。

　　与QC 3.0相比，高通新一代快充技术Quick Charge 4充电速度快了20%，充电效率提高30%，而充电温度下降5°C。高通方面将QC 4称为“充电五分钟，使用五小时”，可在15分钟之内将一部智能手机从零电量充到50%电量。

　　QC 4与前几代相比在许多方面有突破，它兼容USB Type-C和USB Power Delivery（USB PD），采用最佳电压智能协商（INOV）算法第3版，支持Dual Charge与Battery Saver技术。

　　日前，业内人士@Kevin王的日记本在微博中表示骁龙835在海外将首发于三星Galaxy S8，国内将由小米6首发，这两款旗舰机型最早明年三月开卖，LG与HTC等厂商也将相继发布搭载骁龙835的旗舰机型。相信骁龙835将是明年安卓旗舰机型的标配处理器。