投资583亿！7纳米芯片风险量产！中芯国际列入扶持清单

自迈入2021年后，我国的半导体领域便好消息频出。前有哈工大联手长春光机成功突破EUV光源壁垒，后有小米、华为90家半导体巨头成立联盟。最近中芯国际也传来好消息，将在今年4月份实行7纳米芯片风险量产，以及成功的被上海列入2021年重大建设项目清单中。

我是小小王，90后科技爱好者，今天带大家了解“中芯国际被上海列入重大建设项目清单事件”以及“7纳米芯片的风险量产”。

与早先的3G、4G时代不同，在迈入5G领域后，我国在世界半导体领域中的影响力愈发强大，逐渐地动摇了老美在半导体领域中的霸主地位。为了阻止我国半导体事业的发展，一向喜欢“搞事情”的老美，对我国的半导体厂商实行一系列的封禁和技术调控。其中就包括华为、小米、中芯国际、哈工大等。

中芯国际的SN1项目成功入选2021年重大建设项目清单，对于中芯国际来说，无疑是一项好消息。在获得国家相关部门的支持后，将会在很大程度上加速中芯国际的项目进程。中芯国际的12英寸芯片SN1项目，总投资90.59亿美元，折合人民币583.79亿。由中芯国际旗下的中心南方负责。便于大家更好理解，在这里为大家简单介绍一下中芯国际的SN1项目。

中芯国际的SN1项目主要负责中芯国际14纳米以下的工艺。这是我国大陆地区第一条基于FinFET技术的工艺生产线，也是目前我国大陆地区制程工艺最先进的生产线。FinFET又称鳍式场效晶体管，是基于传统的场效晶体管平面架构的一种创新设计。通过类似鱼鳍的3D空间架构，将传统的单面电流控制，拓展到双面电流控制，即控制晶体管电源的闭合由早先的单阀门拓展到双阀门。体现在芯片性能上就是芯片的耗能大幅度降低，芯片的性能得到进一步提升。

中芯国际的14纳米、12纳米以及N+1（也就是等效7纳米），都是在FinFET的基础上进行生产、加工的。不过，由于中芯国际的N+1技术在有关10纳米以下的芯片生产中，使用的是国外的DUV光刻机，因此老美针对中芯国际的10纳米以下工艺进行封锁和限制，将中芯国际列入“封锁名单”中。

需要注意的是，中芯国际的N+1是等效7纳米，在技术和芯片规格、晶体管数量上并不等同于台积电、三星的7纳米。换句话说，与台积电、三星的7纳米工艺相比，中芯国际的等效7纳米比较落后。但值得一提的是：中芯国际的等效7纳米生产是不需要阿斯麦的EUV光刻机的。老美也是看到这一点，禁止中芯国际开展有关10纳米及10纳米以下芯片的投产、试产。

好在中芯国际的实力够硬，面对老美的技术限制，中芯国际的芯片代工进程并没有受到影响。据梁孟松透露，目前中芯国际的7纳米技术已经开发完成，将在今年4月份实行7纳米芯片的风险量产。一旦量产成功，对于我国的半导体发展意义重大。此外，有关5纳米、3纳米工艺的开发已经相继展开，不过，要想更进一步的开展有关5纳米工艺以下的芯片开发，还需要阿斯麦的EUV光刻机。

站在客观的角度来看，目前我们仍然离不开阿斯麦的EUV光刻机。要想进一步发展芯片业务，EUV光刻机是不可缺少的。阿斯麦的EUV光刻机，使得摩尔定律得以延续下去，因此在很长的一段时间内，光刻机生产依然是主流。但中芯国际在光刻机领域的成就是不可忽视的。倘若7纳米芯片量产成功，将会缓解我国半导体厂商，尤其是手机、PC端厂商的压力。不过具体还得等到中芯国际7纳米芯片风险量产的那一天，才得以分晓。

对于中芯国际被列入2021年重大建设项目清单这件事情，你还有什么不一样的看法吗？关于7纳米芯片4月份风险量产这件事情，大家还有什么想表达的吗？欢迎在下方留言评论。我是小小王，关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。