芯片巨头三星发布“军事命令”，为赶超台积电，三星做出了新动作

说到芯片制造，我首先想到的是英特尔。毕竟，英特尔是芯片的创始人。提出了摩尔定律。在PC时代，英特尔的芯片制造技术是最先进的。

但进入移动互联网时代后，芯片制造业发生了变化。台积电和三星相继崛起，英特尔落在了后面。

目前，台积电和三星都能批量生产7Nm和5nm工艺的芯片，甚至很快就会批量生产3nm工艺的芯片。然而，英特尔还不能批量生产7Nm工艺的芯片。

然而，尽管三星和台积电都能批量生产最先进的芯片，但三星和台积电之间仍有很大差距。

例如，台积电赢得了全球一半以上的芯片OEM订单，而三星只赢得了全球16%的订单。可以说，台积电赢得的市场份额是三星的三倍。

此外，台积电还生产了超过10亿颗7Nm芯片，5nm芯片的产量也优于三星。

芯片巨头建立了一个“军事命令”。台积电没想到会在芯片制造方面落后于台积电，三星也从不愿意落后。

为了在芯片技术上赶超台积电，三星做出了许多新动作。作为芯片巨头，三星甚至发布了军事命令。情况就是这样。

首先，三星明确表示将向全球芯片企业开放晶圆代工业务，这不仅是为了与台积电争夺芯片代工订单，也是为了提高芯片制造技术。

过去，三星只向苹果和高通等少数制造商提供晶圆代工服务。

其次，三星明确表示愿意购买更先进的光刻机。

芯片制造离不开光刻，尤其是对于先进工艺芯片。EUV光刻是必不可少的。台积电长期大量安装EUV光刻机，以保证先进工艺芯片的生产能力和良率。

三星李泽荣亲自前往ASML洽谈购买更多EUV光刻胶事宜。此外，三星还明确表示愿意优先考虑纳EUV光刻胶。

第三，为了在芯片制造技术上赶超台积电，三星明确表示，未来10年计划投资1000亿美元，以便在芯片制造领域占据领先地位。

此外，三星也在追赶台积电。台积电预计在2022年量产3nm工艺芯片，三星也计划在2022年量产3nm工艺芯片。

关键是台积电计划在2nm芯片上使用砷化镓技术，而三星将在3nm芯片上使用砷化镓技术。

最后，三星计划投资170亿美元在美国建厂。

台积电宣布将在美国投资120亿美元，在美国建设5nm芯片生产线，预计2024年开始批量生产5nm芯片。

但根据最新消息，三星计划在美国投资170亿美元制造3nm芯片。

目前，已经与美国就补贴问题进行了谈判，三星在美国的建设是为了更好地与台积电争夺市场。

正是因为芯片巨头三星做出了很多新动作，甚至设立了“军令”，这让台积电始料未及。

毕竟，台积电并没有料到三星为了获得市场份额而不惜成本如此投资。

当然，最大的受益者似乎是芯片巨头三星（Samsung）发布了军事命令，在新技术上投入巨资，并在美国建造了一条芯片生产线。其目的是与台积电竞争，而三星与台积电的竞争也使得最大的受益者出现。

首先是美国。由于美国芯片制造技术落后，英特尔将芯片订单外包给三星或台积电。现在，台积电和三星将分别在美国建设5nm和3nm芯片生产线。

也就是说，台积电和三星在美国建厂，直接使美国拥有最先进的芯片制造技术。

其次，ASML已经成为最大的受益者。

三星和台积电竞相开发新技术和扩大生产线。当然，需要更多的asmleuv光刻机或更先进的光刻机。

你知道，EUV光刻胶的价格很高，更不用说更先进的光刻胶了，这意味着ASML的收入和利润将继续上升。

这就是为什么有人说，芯片巨头已经作出了“军事命令”。台积电没想到最大的受益者出现了。你觉得这个怎么样？请留言，喜欢并分享。