升级到22nm Intel新晶圆厂首次破例参观[多图]

　　Intel公司今天宣布，将在美国境内投资60到80亿美元，升级半导体制造技术，并在俄勒冈州兴建一座新的晶圆厂。

　　根据该计划，Intel将在美国俄勒冈州建立名为Fab D1X的新晶圆厂，预计该厂将于2013年投入研发工作，具体投产日期还未确定。同时，Intel位于美国亚利桑那州的Fab 12、Fab 32，以及位于俄勒冈州的Fab D1C和Fab D1D也将借助这笔投资，升级到22nm制程工艺。预计该项投资将能够制造6000到8000个建筑工业岗位，并在完成后再制造800到1000个永久性高技术工作岗位。

　　Intel表示，目前公司制造处理器的速度相当于每秒钟100亿个晶体管。但相比PC行业今年达到的每天100万台的销售速度，其产能仍然无法满足需求，因此需要进一步的投资来升级技术，扩充产能。据称，新的Fab D1X未来将有能力升级制造450mm晶圆，相比目前最大的300mm晶圆进一步提高产量降低成本。不过，该升级计划目前还没有具体时间表。

　　根据Intel的“Tick-Tock”技术升级路线图，下一个“Tick”将是代号为Ivy Bridge的22nm工艺产品。预计该系列处理器将于2011年下半年投产，2012年初零售上市，此次四座工厂的制程升级很可能就是为这次换代做准备。

　　Fab D1X设计图，位于美国俄勒冈州Hillsboro，Intel Ronler Acres 园区

　　Fab D1C，位于美国俄勒冈州Hillsboro

　　Fab D1D，位于美国俄勒冈州Hillsboro

　　Fab 32，位于美国亚利桑那州Chandler

　　Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies， LLC（IMFT）宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。

　　位于雪山脚下的IMFT工厂

　　工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。