5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解

华为有自研的海思麒麟芯片，还是遭遇芯片难题。

原来呀，华为只有设计芯片的能力，设计好的芯片，要交给厂商来代工。

三星和台积电都可以生产最先进的5nm芯片，遗憾的是，它们都不能给华为代工。

华为的芯片设计水平，可以说是安卓最强之一。

从麒麟9000的表现来看，它已经不输高通骁龙、三星猎户座和联发科天玑。

华为真的太难了。

对比，很多小伙伴可能会说了，别人不造，咱自己来呗。

我们知道，生产顶级芯片关键的工具是光刻机。

如果我们能自己研发出5nm光刻机，麒麟9000就可以大批量生产，华为的芯片困局将不复存在。

问题来了，造一部5nm光刻机有多难？

世界上最先进的5nm光刻机来自荷兰的ASML，这也是唯一一家可以提供最先进极紫外光刻机的厂商，市场占有率100%。

它们的光刻机是怎么造出来的呢？我们先回顾一下ASML的发展史。

ASML正式成立于1986年，这家荷兰公司在诞生之初并不被人看好。

当时，美国和日本在半导体领域如日中天。

飞利浦在半导体领域投入巨资，造出的光刻机却不受欢迎，亏损严重。

于是，飞利浦找到一家荷兰厂商ASMI，两者合资成立了ASML。

飞利浦的本意是甩掉这个包袱。

在这样的背景下，成立后的ASML，长期处于亏损边缘，濒临破产。

1988年，ASML牵手台积电，好运来了。

有的时候，机遇真的很重要。

台积电一次性购入17台光刻机，ASML终于站稳脚跟。

半导体行业研究的都是很超前的技术。可是，有的时候，投入巨资也不一定有突破。

2000年的时候，芯片工艺卡在了193nm上。尼康、英特尔、AMD等巨头也是毫无办法。

这个时候，台积电发明了浸没式光刻机，再次拯救ASML。

凭借此举，ASML一举甩开老对手尼康，浸没式DUV光刻机成为市场主流。

在半导体行业的发展过程中，摩尔定律一直是挥之不去的阴影，厂商一直在努力。

要想突破摩尔定律瓶颈，更强大的EUV光刻机该登场了。

当下，苹果的A14，华为的麒麟9000，是5nm工艺制程，这两枚芯片的生产过程就要用到EUV光刻机。

在EUV光刻机市场，ASML是毫无疑问的霸主，占有率100%。

我们前面提到的，华为缺少的光刻机，正是这种EUV光刻机。

EUV光刻机的研发要追溯到上个世纪90年代。

面对193nm工艺困局，英特尔、AMM、IBM/英飞凌、ASML等大厂，纷纷瞄准波长为13.5nm的极紫外光EUV。

这些厂商组建了一个背景强大的EUVLLC联盟。

美国国家实验室提供学术力量，大厂们有生产经验和资金。

可以说万事俱备，只欠东风，最终谁来生产EUV光刻机呢？ASML成了最大赢家。

ASML非常圆滑，为了得到美国的首肯，在美国设立研发中心和工厂，并承诺55%的光刻机零件会从美国进口。

至此，ASML和美国实现利益捆绑。

在EUVLLC联盟当中，美国国家实验室提供学术力量，大厂们则有着丰富的生产经验和巨量资金。

如此强大的团队，耗时6年才完成EUV光刻机的技术验证。

随后，ASML又用了3年时间造出首台原型机。

现在可以商用了吗？还不行。问题很严重，以前的光源不能用。

因为这个问题，又耽误了三年。

直到美国紫外光企业Cymer，成功研发出大功率极紫外光源。

这个时候，所有问题终于得到解决。

时间来到2010年，ASML终于造出了第一台EUV样机。

为了研发EUV光刻机，ASML每年耗资百亿，倒腾了这么多年，没钱了。

再次山穷水尽的ASML，只能“卖身”，英特尔、台积电和三星入股，成为利益共同体。

2015年，EUV光刻机成功量产，前后耗时20多年。

说了这里，我们总结一下，ASML有足够好的运气，抱了很多的大腿，吸纳众家之长，这才有了EUV光刻机。

在笔者看来，时间和金钱对我们来说，似乎都不是问题。

EUV光刻机用到的高精端技术，才是最大的障碍。

短期来看，华为芯片困局难解。

不过，ASML的成功是合作共赢的最好注解。

华为的芯片困局，虽然短期难以解除。

只要坚持和努力，持有开放的态度，合作共赢，事情或有转机。

各位小伙伴，你怎么看呢？