中国芯全面提速，多个环节惊人突破！芯片自主进入倒计时

据统计数据显示，我们在去年买了全球80%的芯片，进口额超过了3千多亿。然而，作为全球最大的芯片消费市场，国产芯片的自给率却不足20%，在华为等中企被美国切断芯片代工渠道后，我们算是彻底认识到了芯片自主的重要性。

为了加速实现芯片国产化，国家在推出减免税收、激赏创新等扶持政策的同时，也不断在优化半导体产业的环境，防止再出现像武汉弘芯这样千亿投资烂尾的情况出现。即便如此，国内依然新增了上万家芯片公司，可见我们自主造芯的决定有多么强烈。

除了核心中企加大攻关、自研力度以外，中科院等国内顶尖科研机构也纷纷跑步入场，主攻光刻机等限制级别的垄断技术，为中国芯的前进保驾护航。在举国之力的努力下，国产芯片取得了立竿见影的效果，多个环节获得突破！

离子注入机

离子注入机是芯片制造前工序中的关键设备，在这个领域，美企几乎占据了90%的全球市场，处于垄断地位。如果我们不摆脱依赖，那么实现芯片自主就将无从谈起。

好消息我们有中国电子科技集团，在3月22日，中国电科官方发布消息，宣布实现了离子注入机的全谱系国产化，包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机。工艺覆盖至市场主流的28nm，并且累计形成了413项发明专利。

高端光刻胶

光刻胶是芯片印刷环节的必备材料，它很大程度上决定了芯片生产的良品率与性能，有g线、i线、Krf光刻胶、Arf光刻胶四种类型，Krf、Arf属于高端光刻胶，核心技术却被日美企业所垄断，我们的国产率不足5%。由于过度依赖进口，导致国产芯片无法控制产能和价格，甚至我们整个芯片产线都因此变得非常被动。

为了实现高端光刻胶国产化，南大光电和上海新阳做了足够多的努力，功夫不负有心人，继去年12月份南大光电宣布实现技术突破后，上海新阳于今年三月初宣布Arf光刻胶已经完成试产，2022年可少量销售，2023年便能大批量产。

极紫外光源

光刻机被誉为工业皇冠上的明珠，而EUV光刻机更是被称为限制级别的芯片制造设备，精密配件超过了10万个，全球能生产的只有ASML，但90%以上的技术都是来自全球各国，比如美国的EDA软件、瑞士的数控机床等等，其中光源是最关键的一项技术。

即便很难，我们还是做到了！在2月底，清华大学发布了这项成果，新型粒子加速器光源，波长可从太赫兹覆盖到极紫外波段，要知道EUV光刻机又叫做极紫外光刻机。突破了光源技术意味着我们对国产EUV光刻机的研发成功了一半！

中芯国际试产7nm

在高端芯片代工领域，台积电与三星占据了全球市场80%以上的产能，在7nm以下的节点，只有这两家企业可以做到，不过却均含有20%以上的美国技术，这是导致华为海思的麒麟芯片成为绝唱的主要原因。

不过在全球芯片供应短缺的情况下，中芯国际花费77亿购买到DUV光刻机后，制造工艺水平也迎来了突飞猛进的发展。结合DUV光刻机的多次曝光，运用Finfet第二代技术，中芯已经开始试产7nm工艺芯片。

从28nm、14nm再到7nm，中芯只用了三年时间便做到了。强如台积电和三星，当初也花费了近十年的时间才做到，而美国的英特尔，至今还被卡在7nm工艺的门槛前举步维艰。

国产芯片产业已经进入了全面提速的阶段，实现芯片自主还能有多远？这在一定程度上要“感谢”美国的“格外”关照，如果没有芯片断供、技术限制，我们在多个领域或许还停留在“拿来主义”的层面。

对此，你们怎么看