中芯国际官宣新进展，芯片技术迎来突破，性能相当于台积电7nm

3月17日，中国芯片巨头——中芯国际对外发布公告，目前中芯国际FinFET第一代技术已经成功量产，FinFET第二代技术则处在风险量产阶段。

官方之前曾公布，中芯国际的FinFET第一代技术实质是14nm工艺改进的12nm工艺，而FinFET第二代技术则包括N+1和N+2，分别对标台积电7nm和5nm。

结合实际情况来看，目前中芯国际正在进行风险量产的应该就是7nm工艺，毕竟中芯国际并没有买到可以用于生产5nm芯片的EUV光刻机。

而在不久前，中芯国际才与荷兰ASML公司敲定一笔价值77亿的订单，其中就包括DUV光刻机。相比EUV光刻机，DUV光刻机虽然精度不够高，但其实也能在特定条件下制造7nm芯片。

不过，从官方公布的参数来看，中芯国际的7nm工艺相比台积电的7nm工艺其实还是存在一些差距。

台积电的7nm技术相比上一代制程工艺，性能提升35%，而中芯国际的7nm技术只提升20%。当然，中芯国际的7nm技术也有优点，那就是功耗大幅降低，这是非常难得的一件事，也是FinFET工艺最大的优势。事实上，7nm应该就是FinFET工艺的应用极限。

5nm芯片之所以频繁出现功耗翻车问题，很大原因就是FinFET工艺无法继续平衡芯片性能和功耗，导致芯片漏电问题变得严重。

从这一角度来看，或许很多厂商会为了芯片均衡，在新一代工艺出现前，放缓向先进工艺迈进的脚步。中芯国际7nm技术，也将凭借节电特点，获得更多用户青睐。

在笔者看来，中芯国际官宣最新工艺研发进展，其实也是为国内半导体产业打了一针强心剂。

众所周知，过去两三年时间，中国科技企业相继遭到芯片制裁。芯片技术、芯片产业链的重要性开始体现，国家不断加大对芯片企业的扶持力度。

但可惜的是，由于中国芯片产业整体实力落后国际水准太多，且尖端技术都存在极高的技术壁垒，短时间内难以突破。因此，国产芯片虽然在部分中低端市场实现了替代，但高端芯片严重依赖进口的情况却并没有明显改善。

而中芯国际突破7nm工艺，成为全球范围内第三家掌握这项技术的芯片代工企业，则是向厂商证明了技术自研的可行性。

按照计划，明年中芯国际就将可以量产7nm芯片，国产芯片自给率有望大幅提升。

文/JING审核/子扬校正/知秋