CREE科锐John Palmour ：赋能未来，勇往直前 SiC MOSFET问世10周年的思索

处于像我这样的位置，能够有幸参与到一个改变行业的重要产品的问世，感觉就是一生一遇的机会。所以通过回顾我们公司历史十年前的关键时刻，发现我所能看到的，对于今天Wolfspeed将迈向何方，也会显得特别地有意义。

 

在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiCMOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率晶体管是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能开发出可用的SiCMOSFET，基于SiC的氧化物绝缘体是不可靠的。我们的友商试图尝试用JFET和BJT等其他SiC器件来绕开这个问题，而我们则始终坚持自己的信仰。因为我们知道MOSFET才是客户最终想要的。我们坚信，我们可以通过采用SiC，开发出市面上最为强大和可靠的半导体。

 

在历尽千辛和百折不挠的努力之后，我们成功做到了。

 

我们探索了三种不同晶体结构。我们竭尽全力在降低成本的同时提高安培容量….提高了1000倍甚至更多！最初的晶圆尺寸仅有我的小指指甲大小。之后，我们终于将基于3”吋晶圆的SiCMOSFET推向市场。同时，以科锐的行事风格，我们并没有停歇下来去庆祝第1代SiCMOSFET的推出，而是迅速投入到了第2代产品的开发。

 

最初的阶段并非没有彷徨。但我们知道要想推动产业更多的采用，我们就必须不断地在降低成本的同时提升性能。在那段时间里，我们让许多原先认为不可能实现的人改变了观点。我们目睹了友商公司放弃了其他器件结构的选择，而开始朝向MOSFET迅速迈进。随着各个产业开始认识到SiCMOSFET可以适用于不同应用，我们看到了新的市场和垂直领域。

 

但即便是我自己，当时也没能全面意识到某些市场将来会变得多么巨大。我们认识到SiCMOSFET能在巨量的工业应用领域发挥关键作用，而电动汽车会是一个重要的赛道。我们知道其有潜力，但是我们很难想象这个机遇会有多么巨大，以及我们将助力电动汽车产业的塑造。

 

在采用SiC逆变器的特斯拉Model3的推出之后，一切都发生了改变。在看到了采用SiC器件所能实现的功率密度和续航里程，各家汽车OEM厂商都开始争相研究如何在他们的汽车之中采用该项技术。

 

今天电动汽车产业的蓬勃发展，让我想到了我们公司历史上的另一个关键时期。我记得目睹了科锐LED业务的巨大发展浪潮。从90年代中期科锐LED在大众汽车仪表盘上的首次采用，到全行业对于固态照明的拥抱。我见证了公司之前的爆发式增长–而这一幕在今天又开始重现。

 

我相信，对于Wolfspeed，未来的发展会比我们过去曾经历的增长还要巨大。爆发式增长既令人愉悦，却也充满挑战。我们需要相互扶持，在成为行业引领者的道路上不断前行。

 

十年之前，我们身处一生一遇的增长曲线的初期阶段。现在，我们又迎来了这样的机遇。我迫不及待地想要看到未来十年我们将达到怎样的高度。