芯片巨头官宣新消息，台积电或许没料到，芯片超车并非不可能

在芯片制造领域内，竞争最激烈的两家企业就是台积电和三星，为了赶超台积电，三星不仅从台积电大量挖人，还比台积电早上线了14nm工艺。

虽然近年来，三星一直都落后台积电一点，例如，台积电拿下了全球50%的市场订单，而三星的市场份额在18%左右；

另外，台积电比三星早上线了7nm工艺，并在良品率方面领先于三星。尽管如此，但三星始终都没有放弃，仍将超越台积电作为首要目标。

为了超越台积电，三星李在镕不仅亲自与ASML协商购买更多EUV光刻机，还表达了想优选获得NAEUV光刻机的意愿。

不仅如此，在芯片制造技术方面，三星也一直在突破。

据悉，三星已经明确表示，将会采用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术生产制造3nm制程的芯片，而台积电仍旧采用FinFET工艺，在2nm芯片上采用GAAFET技术。

芯片巨头官宣新消息，台积电或许没料到

如今，芯片巨头三星正式官宣新消息，在IEEEISSCC国际固态电路大会上，三星正式对外展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片。

也就是说，三星已经实现3nm工艺的应用，虽然不是用于生产制造处理器，但三星毕竟已经实现3nm工艺的应用，这一点让台积电或许没料到。

据悉，台积电刘德音已经明确对外表示，3nm芯片发展进度超出预期，将能够按照原定技术执行，预计将会在今年后半年进行试产，2022年量产。

如今，三星虽然没有发布关于3nm制程芯片的消息，但三星已经采用3nm工艺成功制造了SRAM存储芯片，三星也可能会在3nm芯片方面走在台积电前面。

也正是因为如此，才说台台积电可能没有料到。

芯片超车并非不可能

三星一直都在芯片制造方面超越台积电，但就目前来看，这并非不可能，之所以这么说，原因有三点。

首先，三星已经成功用3nm工艺制造了SRAM存储芯片，这是3nm工艺的首次应用，就工艺而言，三星已经走在了台积电的前面。

在3nm芯片方面，三星比台积电早试产或量产3nm芯片，这也并非不可能。

其次，为了超越台积电，三星可以说是下了足够多的本钱。

例如，三星已经宣布投资千亿美元，发展先进制程的芯片技术，目的就是在未来10年，实现在芯片制造

而芯片制造需要更多先进的光刻机，三星已经与ASML协商购买更多EUV光刻机，而ASML也参观了三星工厂，三星借机又表达了想优先获得NAEUV光刻机的意愿。

在订单方面，三星也不断进行提升，不仅宣布向全球芯片企业开放晶圆代工业务，还宣布在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。

要知道，台积电在美国建厂，也仅仅是建设5nm的芯片生产线，可见，三星是铁了心要与台积电争第一，而三星再次建厂是台积电或许没有料到的事情。

最后，台积电自身也遇到了问题。

台积电在先进制程芯片方面往往都是独自开发，但在2nm制程的芯片上，台积电转变了做法，消息称，台积电与苹果合作开发2nm制程的芯片。

这可能意味着，台积电在2nm制程的芯片方面遇到了问题，再加上，物极必反是更古不变的道理。

目前，全球都在发展芯片制造技术，势必会给台积电带来的不小的冲击。

例如，欧盟17国联合投资数百亿欧元发展芯片技术，要在2030年生产冲刺2nm芯片。

也正是因为如此，才说芯片超车并非不可能，三星是有望超越台积电的。对此，你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。