美国对部分华为供应商施加新的5G禁令;中美共同成立“半导体产业技术和贸易限制工作组”;8英寸产能急缺,为何只有1家代工厂大幅扩产

1.加强出口强硬路线！美国对部分华为供应商施加新的5G禁令

集微网消息，综合外媒报道，消息人士称，拜登政府本周修改了供应商出售给华为的许可证，进一步限制了供应商给华为提供用于5G设备或与5G设备一起使用的物品。

此规定建立更明确的禁令，不得向华为出口5G设备所用的元件，包括半导体、天线和电池，使5G禁令在许可证持有者之间更加统一。原先有些公司获准继续向华为出口可用于其5G设备的元件，而另一些公司则受到更加严格的限制。

两位消息人士称，基于先前批准的供应商许可证，这些变更可能会破坏与华为的现有合同，而他们可能不再能够交付这些合同。

知情人士说，5G禁令从本周开始生效。

美国商务部发言人拒绝置评，称许可信息受保密。

这些行动表明，拜登政府正在加强对华为出口的强硬路线，并且表明，美国政府正在兑现对中国采取强硬措施的承诺。在本月接受MSNBC采访时，商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）承诺“完全使用”实体清单。

在美国前总统特朗普将华为加入实体名单后，各公司抱怨规则混乱，要求美国公司向华为出售美国技术和知识产权时，必须获得政府许可。

负责监督实体名单的美国商务部工业与安全局在一封电子邮件声明中表示，不能对“特定出口许可问题”发表评论。该局表示，“与机构间合作伙伴一道，一贯采用《出口管理条例》中规定的许可政策，以保护美国的国家安全和外交政策利益。”

2.中美半导体行业协会宣布成立 “中美半导体产业技术和贸易限制工作组”

图片来源： 网络

集微网消息，中国半导体行业协会3月11日宣布，中、美两国半导体行业协会经过多轮讨论磋商，共同成立“中美半导体产业技术和贸易限制工作组”，将为中美两国半导体产业建立一个及时沟通的信息共享机制，交流有关出口管制、供应链安全、加密等技术和贸易限制等方面的政策。

中国半导体行业协会表示，两国协会希望通过工作组加强沟通交流，促进更深层次的相互理解和信任。工作组将遵循公平竞争、知识产权保护和全球贸易规则，通过对话与合作解决中美两国半导体产业的关切，为建立稳健、有弹性的全球半导体价值链共同做出努力。

工作组计划每年两次会议，分享两国在技术和贸易限制政策方面的最新进展。根据双方共同关注的领域，工作组将探讨出相应的对策建议，并确定需要进一步研究的内容。

今年的工作组会议将在线上举行，今后视疫情缓解情况，将召开面对面会议。

根据磋商结果，双方协会将各自委派10家半导体会员公司参加工作组，各自分享相关信息并进行对话，双方协会将负责工作组的具体组织工作。

（校对/Carrie）

3.8英寸产能急缺，为何只有1家代工厂大幅扩产

集微网报道，晶圆代工产能紧缺已是半导体产业近一年来老生常谈的话题，与传统制造业不同，晶圆制造是全世界最精密复杂的工艺之一，其牵扯的工序和设备繁多，需要巨额的资本支持。晶圆厂的每一轮扩产都有着数月，甚至是一年以上的长周期。因此，晶圆代工产能紧缺问题无法像口罩、测温枪等商品一样在短期内解决。

“现在每天见客户，除了问我们要产能安排，就是叫我们扩产。”某晶圆代工大厂的销售主管Mike（化名）告诉集微网，“可现实是，8英寸扩1000片月产能需要1000万美元，12英寸扩1000片可能就需要1亿美元。然而，市场化的晶圆价格根本没有办法支撑我们的扩产。”

图源：IC Insights

IC Insights最新研究报告显示，台积电平均每片晶圆收入为1634美元，是中芯国际（684美元）和联电（675美元）的2倍多，排在第2的格芯为984美元。显然，作为先进工艺的领头羊，台积电的每片晶圆价格要远高于其他竞争对手。在此前提下，台积电相对有资本进行大幅扩产，但仅仅只是针对12英寸。

日前，据台媒报道，台积电已优先考虑扩产12英寸晶圆厂，而不是8英寸厂，这势必会加剧8英寸产能供不应求的现状。台媒引述消息人士称，这是因为成熟工艺节点设备供应端短缺，台湾其他厂购置8英寸设备时也遇到了困难。

可事实真是如此吗？

来自4.2%的坚决

中芯国际联合CEO赵海军在2020年第四季度电话财报会议上透露，公司在2021年将扩充4.5万片的8英寸月产能，另外12英寸也将扩充1万片/月。

而据集微网了解，中芯国际还是在被列入实体清单后对扩产计划进行了缩减，8英寸2021年的扩产原计划为7万片/月。要知道，目前中芯国际的8英寸整体月产能约为25万片，一年内的扩产幅度已接近20%。

供应链人士告诉集微网，大多数人认为全球的8英寸设备已经“绝版”，而实际上应材、Lam以及东电等已经开足马力，进军新的8英寸设备，有些是自己制造，有些则将技术授权给OEM代工生产。中芯国际8英寸扩产中所购买的就大多为新设备，且相关订单在中芯国际被列入实体清单前就已经敲定，剩下的工作只是交付和装载。

全球8英寸产能极缺，其他工厂传出的消息多为涨价，或扩产12英寸，唯独只有市占率4.2%的中芯国际官宣了8英寸扩产计划，究竟是何缘故呢？

集微网采访了多位分析师和产业链上下游的业内人士，总结出了以下四大原因：

一、充足的现金流，打破市场化价格的限制。中芯国际科创板首发募集资金高达532亿元，排在2020年科创板首发上市145家企业中的第1位。中芯国际能够摆脱市场化晶圆价格的限制，通过将募集的大量资金用于扩产，以持续推动公司未来业绩的增长。

二、相比于12英寸，8英寸扩产阻碍更小。自中美贸易战开打，中兴、华为等中国高科技企业被美国商务部列入实体清单，中芯国际也逐渐感受到时局的动荡和外部阻力加剧。从EUV设备交付受阻，到去年底最终被列入实体清单，中芯国际发展的速度被迫趋于平缓。美国商务部指出，对中芯国际进口用于10nm及以下技术节点（包括极紫外光技术）的产品或技术，会采取“推定拒绝”。日前，中芯国际获得的第一批供应许可也是以成熟工艺设备为主。由于12英寸设备所覆盖的工艺节点更为先进，而8英寸厂扩产绝不可能涉及先进节点，因此中芯国际将扩产的重心放在8英寸将更为顺利。

三、国产替代正当时，8英寸市场颇具成长空间。根据IC Insights的研究报告，截至2020年12月，中芯国际在全球8英寸晶圆产能排名中仅位于第6位，市占率仅6%。在纯晶圆代工领域，中芯国际也仅处于第3位。因此，8英寸市场还有着巨大的成长空间，扩产实际上是中芯国际长期的战略选择。如今8英寸产能紧缺，电源管理芯片、IGBT、MCU以及CIS图像传感器等芯片价格不断上涨，在国产替代的浪潮下，中芯国际的“春种”一定会迎来“秋收”。

以上三点是中芯国际扩产8英寸的主要原因，关于其他工厂不扩产8英寸，只扩产12英寸的原因，台湾分析师Tom（化名）告诉集微网，目前12英寸已经逐渐成为了主流尺寸，因为其具有更高的生产效率和更低的单位耗材。虽然12英寸扩产虽然成本更高，但每片晶圆价格也更高。

近年来，除了台积电宣布在南科六厂旁新建一座8英寸厂，全球几乎不再有新的8英寸纯晶圆代工厂出现。Tom表示，12英寸厂的工艺节点覆盖面更广，能带来更灵活的调配空间。另外，新建12英寸厂更容易获得政府补贴，这也是晶圆厂倾向于建造12英寸厂的原因之一，近年来新设立的公司也是直接上马12英寸。

影响

8英寸“我扩敌不扩”，随着国内IC设计公司需求不断增高，供应链国产化的欲望不断强烈，中芯国际未来的盈利能力将获得进一步提升。

反观12英寸及先进工艺节点，持续扩充产能使得折旧增加，但先进制程的大客户被迫更替却导致生产的晶圆数量下降，这让中芯国际的负担变得更加沉重。在美国的打压下，如何保证先进制程的谨慎延续，并在未来完成突围，是中芯国际需要长期考虑的问题。

对于中国IC设计公司而言，中芯国际8英寸扩产将一定程度上缓解模拟芯片、电源管理芯片、MCU等缺货严重的问题。

在半导体设备市场，中国厂商目前仅在8英寸市场具备一定竞争力，中芯国际大力扩产8英寸也给国产半导体设备提供了一个潜在舞台，如果产品能够与海外供应商相提并论，相信获得中芯国际的大批量采用也只是时间问题。

中国的半导体材料领域与半导体设备相似，尤其是硅片行业。目前12英寸硅片全球前五家厂商占比达97.8%。IC Mtia数据显示，2018年我国半导体硅片市场规模为172.1亿元，年产能为2393百万平方英寸，其中12英寸硅片产能约为201百万平方英寸，8英寸硅片产能约为预计870百万平方英寸。随着中芯国际8英寸大幅扩产，国内硅片厂商也将迎来发展机遇。

（校对/范蓉）

4.美日印澳将携手建立稀土采购链 以抗衡中国的优势地位

图源：路透社和法新社

集微网消息，据日经亚洲评论报道，美国、日本、印度和澳洲将携手合作建立一条稀土采购链，以抗衡中国在这个领域的优势地位。

美国地质调查局 (US Geological Survey) 数据显示，2020 年中国占全球稀土总产量 58%，美国产量占比为 16%，澳洲为 7%，印度为 1%。虽然中国稀土产量比重已大不如前，但仍为全球最大生产国，引发各国对于中国稀土资源垄断地位的担忧。

据悉，由美日印澳组成的四方安全对话国家（Quad），打算合作为新的生产技术和开发计划提供资金，以应对中国的市场优势。Quad还打算带头草拟国际规则。稀土是制造各种产品的重要原料，从智能手机、高性能马达到电动车电池等。

这四国领导人将在12日举行的在线峰会确认合作意图，以降低对中国生产稀土的依赖。

大型科技公司依赖于中国生产的稀土，包括对生产电动车至为重要的钕和用于电池的锂。这些金属也是风力涡轮机和其他去碳化基础设施不可或缺的元素。

此前，美国总统拜登签署一项行政命令，对四种关键产品的供应链进行为期100天的审查，分别为半导体芯片、电动汽车电池、稀土金属、医疗用品，并计划与日本和韩国等国家和地区合作，加快建立芯片和其他战略重要产品供应链的步伐。

5.【芯视野】成为5G射频的王者 它与FinFET同样精彩

上世纪末，胡正明教授为了解决传统CMOS工艺“大限将至”的问题，受命带队研发替代性工艺。最终，FinFET与FD-SOI在众多竞争者中脱颖而出。两者各有所长，难分轩轾，但在多重因素的左右之下，FinFET最终成为了主流工艺的接班人。

随着工艺的逐年演进，FinFET与FD-SOI孰优孰劣的争论已渐渐平息了。没有像FinFET那样轰轰烈烈引领先进工艺的进展，但FD-SOI与其背后的SOI家族却也走出了属于自己的一条道路。

最大的引擎：5G

按照SOI衬底晶圆市占率来计算，占比为6成的RF-SOI（针对射频的SOI）才是整个家族的支柱。

RF-SOI器件拥有尺寸小、寄生电容小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等优点，特别适合开关和转换器低插损、高线性、高速的要求。相比传统的砷化镓（GaAs）和蓝宝石上硅（SOS）技术，RF-SOI可以同时提供优良的射频性能和较低的成本。作为开关和天线调谐器的主流技术，这些器件的90%都是由RF-SOI制造的。

5G时代的到来，智能手机对RF器件的更高要求给了RF-SOI充裕的发挥空间。一方面，智能手机轻薄化、高屏占比的设计趋势持续发展，留给内置RF前端功能区的空间不断减少；另一方面，5G的RF前端模块所需要的功率放大器、滤波器、开关、LNA和天线调谐器的翻倍增长，众多模块都要集成在一部手机当中。这种矛盾使得设计者倍感棘手。

有了RF-SOI技术的存在，这个问题可以迎刃而解。RF-SOI能使开关、PA、LNA、移相器、可变增益放大器(VGA)被完全集成在一起，还同时具有控制、偏置、内存和电源结合功能。

高性能、大尺寸的RF-SOI衬底制备和射频开关代工技术已经证明能够满足5G Sub-6GHz应用的性能和产能需求，并开始在毫米波频段和Wi-Fi 6/6E中发挥潜力。

Soitec公司首席运营官兼全球业务部主管Bernard Aspar告诉集微网，在5G智能手机中，RF-SOI 器件的比例正在不断增加，例如Sub-6GHz频段中，RF-SOI含量比4G高60%；毫米波频段中，120mm2 SOI内容含量增加；同时，RF-SOI在 Wi-Fi 6/6E MU-MIMO 射频前端中更具优越性。

目前，全球RF SOI代工厂包括Tower Jazz、格罗方德、台积电、UMC等。格罗方德还专门为5G应用推出了45nm RF-SOI工艺，该工艺利用了高电阻阱富集的SOI衬底。在国内晶圆代工厂商中，中芯国际与华虹宏力也具备了RF-SOI工艺主流制程代工能力。

5G在未来10年将迎来全面爆发，垂直、衍生技术、应用和频谱将持续发展。这些技术的演进和发展会催生更多对优化衬底的需求。因此，不单是RF-SOI，整个SOI家族都将从中受益。比如，FD-SOI用于SoC模拟/射频集成；压电(POI)优化衬底用于生产高性能表面声波(SAW)滤波器组件，主要针对4G和5G新无线电(NR)波段。

据国外机构预测，5G/驱动下射频应用快速增长， 2020年SOI市场规模超10亿美元（约人民币70亿元），2024年SOI市场规模将增长为22亿美元，2019-2024年复合增速29%。

边缘计算和汽车

边缘计算的出现改变了全球计算设备处理和传输数据的方式。因为IoT的爆炸性增长，以及需要实时计算能力的新应用，持续推动着边缘计算系统的发展。

由于边缘计算使得计算和数据存储更靠近收集数据的设备，能源效率和可靠性成为其核心芯片的基本需求。做为一种可集成多种功能同时仍为移动设备基础架构提供较低功耗的独特技术，FD-SOI完全可以被看做是为边缘计算量身打造的。

“FD-SOI的增长驱动因素主要是5G、边缘计算、汽车，同时其采用率上升也受益于越来越多的技术需要超低功耗的能力。”Bernard Aspar这样认为。

FD-SOI能够在0.4V下工作，与体硅工艺相比，功耗可降低达80％。取决于所用的电压，其性能可能会提高50％。

FD-SOI还可以实现基底偏压和自适应基底偏压，能够在芯片上内置嵌入式存储器，还能集成RF功能，一些厂商已经开始将FD-SOI用作实现5G FEM全集成的最佳平台。

做为一种成熟的技术，以65nm起步，从28nm、22nm演进18nm和12nm。在格罗方德、ST、三星等公司的推动下，采用22nm FD-SOI制程的产品现在已用于包括IT网路、伺服器、消费电子等领域。在近期，有关于该技术的产品就有ST发布的Stellar MCU平台，Samsung Foundry Forum (SAFE) 主推的FD-SOI + eMRAM等。

在汽车电子领域，FD-SOI也在不断取得突破，比如Dream Chip推出的业界首款用于汽车计算机视觉应用的ADAS SoC芯片，Arbe Robotics公司的4D成像雷达，以及Mobileye的EyeQ4视觉处理器都采用了FD-SOI技术。

而且，这些还只是FD-SOI在汽车芯片领域应用的冰山一角。如上图所示，汽车所用的大部分主要芯片，都已经在使用这项技术。

“此外，还有通过AI管理的射频，比特流SoC以及新一代的为云端添加无线电连接，也是带动FD-SOI的一系列创新应用。”Bernard Aspar补充道。

由于FD-SOI较低的研发成本和优异特性，与FinFET的关系也由竞争转换为互补。芯原董事长兼总裁戴伟民博士就表示，IoT与AI时代需用FinFET和FD-SOI两条腿走路。FinFET负责大量数字芯片，多数时候具有高性能，FD-SOI则适合低功耗和高集成（射频、存储）。

国内风景很好

近日，沪硅产业公告，拟定增募资不超50亿元，将用于集成电路制造用300mm高端硅片研发与先进制造项目、300mm高端硅基材料研发中试项目、补充流动性资金。

这其中提到的300mm高端硅基材料研发中试项目即是完成 300mm SOI 硅片的技术研发并进行中间性试验生产。

在5G的引领下，SOI晶圆技术已逐步由200mm向300mm过渡，全球能够供应300mm SOI 硅片的供应商主要为法国 Soitec、日本信越化学以及中国台湾的环球晶圆，中国大陆尚无具备规模化生产能力的300mm SOI硅片厂商，

如果该项目实施成功，公司将建立300mm SOI 硅片的生产能力，并完成40万片/年的产能建设。沪硅产业希望项目的建设将有助于公司填补国内300mm SOI硅片技术能力的空白。

对于国内半导体产业来说，SOI是一个并不陌生的话题。在2015年，中国的相关企业就对FD-SOI技术表达了浓厚的兴趣。当时，有一种声音就认为，中国应该大力发展FD-SOI，以实现在工艺上的弯道超车。同年秋天，上海新傲科技开始量产首批8寸SOI晶圆片，采用与该公司策略伙伴、法国Soitec公司的Smart Cut技术。

SOI后来虽没有成为主流工艺，但是在中国的生态却建立起来。有不少设计公司开始设计基于22nm FD-SOI工艺的物联网芯片，晶圆代工厂也在一直进行相关研发，如华力微电子就一直在研发FD-SOI技术，并已向市场交付产品，分别是55纳米的FD-SOI和22纳米的FD-SOI。

进入AIoT时代后，因为有众多亲民特性，SOI更是吸引了中国半导体产业链的极大兴趣。但以业内人士的角度来审视，SOI技术即使发展空间广阔，仍要明确其定位。半导体资深专家莫大康就表示，“任何一种工艺，如SOI，既有低功耗优势，也有成本高的缺陷，前景主要决定于做什么产品。如果用在对于功耗敏感的产品上，未来有希望，反之则没有优势。”

有意思的是，近期发生的芯片产能慌并没有对SOI产业链产生严重影响。一位业内人士表示，FD-SOI是新工艺，能做的只有很少几家，因此很少有抢产能的事发生。这也许对产业也是一个有益的启示：多发展差异化的工艺，避免将鸡蛋放在一个篮子里，产能紧缺这种事件发生的概率就会大幅降低。（校对/Andrew）

6.【集微拆评】华为Mate 40 Pro拆解：星环设计辨识度高，但压缩了主板空间

华为Mate 40 Pro采用88°环幕屏设计，实体音量键和电源键回归，独特的星环设计辨识度极高，搭载麒麟9000处理器，性能与颜值俱佳。今天我们通过拆解来看华为Mate 40 Pro内部都有哪些特别之处？

华为Mate 40 Pro配置一览：

SoC：海思麒麟9000 5G处理器丨5nm工艺

屏幕：6.76英寸OLED全面屏丨分辨率 2772x1344 丨屏占比95.2%

前置：1300万像素摄像头+3D深感摄像头

后置：5000万像素广角摄像头+2000万像素超广角摄像头+1200万像素长焦摄像头

电池：4300毫安

存储：8GB RAM+ 256GB ROM

特色：麒麟9000处理器丨后置三摄丨前置3D深感摄像头解锁 

拆解步骤：

取出华为Mate 40 Pro的卡托，卡托上有防尘放水的硅胶圈，用90℃热风枪加热后盖与内支撑缝隙处，再用撬片缓慢打开后盖，后盖与内支撑的固定使用了大量的胶。拆解后盖时有些难度。

在华为Mate 40 Pro的后盖上，对应电池和后置摄像头盖上都设有不少相应的泡棉，起到缓冲保护作用。后置摄像头盖使用胶固定，可以轻松取下。

在华为Mate 40 Pro的主板盖上层有激光对焦传感器小板，传感器板的BTB接口处有金属盖板保护，并用螺丝固定，上面还集成了闪光灯和色温传感器。

华为Mate 40 Pro的主副盖板都是通过螺丝固定，主板盖上对应主板BTB接口位置都贴有泡棉。在无线充电线圈背面贴有大面积石墨片覆盖在电池位置起散热作用。

取下听筒、光感距感板、振动器、按键软板等组件。华为Mate 40 Pro取消了屏幕发声组件，采用尺寸较大传统听筒组件。位于屏幕和内支撑之间的指纹识别传感器，需要分离屏幕后才能取下。

华为Mate 40 Pro的屏幕采用6.76英寸2772x1344分辨率的OLED全面屏，型号为LG LH676WF1-ED01。

华为Mate 40 Pro的前置为1300万像素摄像头，光圈为f/2.4，还有一颗3D深感摄像头。

主板ic信息：

主板正面主要IC（下图）: 

2、Samsung- KLU*****-256GB闪存芯片

3、Samsung- K3L***** -8GB内存芯片

4、Hisilicon-海思麒麟9000处理器芯片

5、Hisilicon- Hi6*****-功率放大器芯片

6、Hisilicon- Hi6*****-电源管理芯片

7、Murata-功率放大器芯片

8、Qualcomm- QDM*****-前端模块芯片

9、Hisilicon-Hi6*****-低噪放大器芯片

10、Hisilicon-Hi6*****-低噪放大器芯片

11、Hisilicon-Hi6*****-射频收发芯片

12、Hisilicon-Hi6*****-电源管理芯片

13、STMicroelectronics- BW*****-无线充电接收芯片

14、Hisilicon- Hi*****-WiFi/BT芯片

主板背面主要IC（下图）: 

2：QORVO-QM*****-前端模块芯片

3：Hisilicon-HiH*****-低噪放大器芯片

4：Hisilicon-Hi6*****-低噪放大器芯片

5：QORVO-QM*****-功率放大器模块

6：Hisilicon-Hi6*****-电源管理芯片

7：Hisilicon-Hi6*****-电源管理芯片

华为Mate40 Pro的后置摄像头采用星环设计，虽然外观更漂亮，辨识度更高，但也导致摄像模组面积增加，压缩主板上器件空间，部分主板采用了堆叠的方式。

华为Mate40 Pro采用三段式设计，整体设计严谨，内部通过石墨片+散热硅脂+液冷铜管的方式进行散热，电池位置上贴有大面积石墨片用于散热，取消了屏幕发声组件由听筒代替，后盖与内支撑之间固定非常牢固，整机拆解难度中等。

特别鸣谢：eWiseTech 拆解公司提供专业技术支援

(校对/Musk)

7.每日精选|特斯拉回应河南车主车顶维权；杭州酒店床品抹布装芯片

集微网3月11日消息，一段特斯拉女车主坐车顶维权的视频被热传。视频中，女子用喇叭播放“特斯拉刹车失灵，引发交通事故”的录音。对此，特斯拉回应称后台显示，该车辆出事时严重超速，在此过程中车辆的ABS和刹车都是正常工作的。如果第三方检测机构和司法机构需要的话，可以从特斯拉调取这些数据。这些年消费者坐车顶维权的事情屡见不鲜，这警醒广大车企要切实维护好消费者的合法权益。

图片来源：微博

目前，杭州市下城区卫生监督所正在试点运行“透明保洁智能监管”系统。试点酒店内，每一件床上用品都被装上了芯片，服务员用机器一扫，就能将数据上传。为了做到专布专用，还在每一块抹布上装了芯片。如果用擦洗手池的抹布去擦马桶，这个芯片就会发出警报。上有政策，下有对策，酒店床上用品等装芯片固然是个好举措，关键在于能否落到实处。

图片来源：微博

大家只知道腾讯是科技巨头，业务总走在时代的前面。但不知道，腾讯去年通过其所持大约100家上市公司的少数股权，大赚约1200亿美元。这也使得市场在质疑腾讯不好好经营主营业务，忙着做各种投资。只要企业在合法的范围内获得收益，就没什么好诟病的，腾讯作为巨头通过投资扶持其他企业，值得鼓励。

图片来源：腾讯官网

格力电器董事长兼总裁董明珠接受采访时，分享了她对人才培养、科技创新、智能制造等领域的看法。董明珠表示，我们现在有很多优秀的年轻人，值得我们骄傲。这也是我给大学生从“一人一房”到现在“一人一套房”的原因。“到格力来工作三四年，大学生可以成家立业，不用为买房痛苦，我们给他提供这个保障。”能为员工解决好房子问题的企业不多了，即使有很多附加条件在里面，但愿市面上多一点像格力那样的企业。

图片来源：微博

全国人大代表、联想集团董事长兼CEO杨元庆在全国人大北京市代表团全体会议上发言时表示，“在联想，我们一直强调的是工作与生活的平衡，旗帜鲜明的反对996”。大公司就应该为员工着想，一味的加班加出来的有可能是怨气与愤恨，联想在反对996方面，值得国内所有的公司学习。

图片来源：联想官网

更多的趣事，就在ICspec。（校对/叶子）