Vishay高效80 V MOSFET，优值系数达到最佳

Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。

日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ，超低栅极电荷仅为55 nC，COSS为614 pF。这些改进后的技术规格，经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗，从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成为典型48 V输入，12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。

SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用，如同步整流、原边开关、降压-升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。