新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍来源:zhaobin发布时间:2006-12-13292浏览询问 AI闪存相比,相变内存运行速度高于前者500~1000倍,能耗也将大幅度降低。 据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克 新闻来源:zhaobin,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。