华为不使用美国技术的芯片工厂项目曝光

11月2日，据外媒报道，华为正计划在上海建设一家不使用美国技术的芯片工厂。该报告称，华为的目标是在2021年年底前为“物联网”设备生产28纳米，到2022年为5G电信设备生产20纳米。

该报告称，华为没有芯片制造经验，该工厂将由上海市政府支持的上海集成电路研发中心有限公司(国际复兴开发银行)运营。

据悉，该工厂将从低端45纳米芯片开始做起，目标明年底之前实现28纳米芯片制造，2022年底之前升级到用于5G电信设备的20纳米芯片。而45纳米工艺曾在10年前用于生产苹果iPhone 4所用的A4芯片。目前华为Mate 40系列已搭载5纳米麒麟9000芯片。

受禁令影响，华为高端手机芯片已断供。为了解决芯片危机，华为曾考虑寻找替代方案。但是，目前中国内地规模最大的芯片制造商中芯国际最先进的工艺是14纳米，和最前沿的5纳米工艺相比还有很大差距，长远来看，并不能满足华为的需求。更严峻的是，近日中芯国际也遭到美国封锁，部分供应商向中芯国际供货被加强管制，未获许可不得供货。

来自美国金融咨询机构 Bernstein Research 的半导体分析师 Mark Li 认为，华为有可能实现这个芯片自产计划，但大概需要两年时间。

Mark Li 还表示，虽然华为制造移动基站所需的芯片理想情况下应采用 14nm 或更先进的工艺技术，但使用 28nm 是可能的。他表示：华为可以弥补软件和系统方面的不足。与海外竞争对手相比，中国生产商可以容忍更高的成本和运营效率低下。

至于这一计划的实施，Mark Li 认为，这样一个设施很可能是由来自不同中国供应商的设备组合而成，比如 AMEC 和 Naura，再加上一些它们可以在市场上找到的二手外国工具。

据内人士的说法，华为计划最终在其国内生产设备上完全配备中国制造的机器，但有分析师指出，这一目标尚需数年时间。

据官网介绍，上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）成立于2002年，ICRD由中国集成电路相关企业集团和高校联合投资组建而成。上海集成电路研发中心位于上海市张江高科技园区，地理位置毗邻华力微电子和中芯国际。ICRD建有中国12英寸开放式集成电路先进工艺研发和装备材料试验平台，净化面积超过3000平方米，研发环境及管理系统和大生产线完全匹配，可实现硅片无沾污进出和工艺流程无缝衔接，加快了技术研发和验证速度。