慧荣推出新款控制芯片为消费级SSD带来极致效能体验！

慧荣科技最新款SSD控制芯片解决方案。

全球NAND快闪存储器控制芯片领导品牌慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)，宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4控制芯片解决方案以满足全方位巿场需求，包括专为高阶旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267，以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM-Less控制芯片。

慧荣科技最新款SSD控制芯片解决方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4规范，完美展现Gen4的超高效能和低功耗特性，结合慧荣独家的错误码修正(ECC)技术、资料路径和EMI 保护，提供完整、稳定的资料保护，满足储存设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户，包括NAND大厂和SSD OEM采用慧荣科技的Gen 4控制芯片搭载3D TLC或QLC NAND推出新品。

市调公司TrendFocus副总裁Don Jeanette表示：「众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD控制芯片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时，该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机，而未来几年Gen 4势必成为PC、游戏机及其它消费性装置的标准规格。」

慧荣科技总经理苟嘉章表示：「PCIe Gen4 将SSD的效能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe 4.0 SSD控制芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案，能满足全球PC OEM和SSD模块领导厂商的长远需求。目前，多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen 4 SSD控制芯片在他们的新品开发中，其中已搭载SM2267控制芯片的SSD已进入量产阶段。」

针对高效能和车用等级的PCIe Gen 4解决方案：SM2264支持Gen4 x 4通道、8个NAND通道设计

SM2264主要瞄准高效能和车用级SSD应用，搭载4核心ARM Cortex R8 CPU，内含四个16Gb/s PCIe资料汇流排，并支持八个NAND通道，每个通道最高可达每秒1,600 MT。SM2264的先进架构采用12纳米制程，能够大幅提升资料传输速率、降低功耗并提供更严密的资料保护，连续读写效能最高可达7,400MBs/6,800MBs，随机读写速度最高达1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高效能体验。

ARM Cortex R8架构提供高速多执行绪处理能力，可满足新一代储存应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend技术，结合慧荣科技专利的最新高效能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能，为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的错误校正能力。内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级储存装置的理想选择，最多可同时为八台虚拟机器(VM)提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前进入客户送样阶段。

针对主流和入门级PCIe Gen 4的解决方案：SM2267支持Gen4 x 4通道、4个NAND通道设计；SM2267XT支持Gen4 x 4通道、4个NAND通道、DRAM-less

慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求，具备四个16Gb/s通道的PCIe和四个NAND通道，每个通道的最高速度为1,200MT/s，而连续读写效能更可高达每秒3,900/3,500MB。SM2267包含DRAM接口，而SM2267XT DRAM-less控制芯片可在不影响效能的前提下，满足小尺寸产品设计需求。两者均搭载 NANDXtend ECC技术，并支持最新一代3D TLC和QLC NAND，提供高效能、高可靠性，最符合经济效益的PCIe NVMe SSD解决方案。SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。