传SK海力士将在1a级 DRAM中引入EUV技术

据韩媒报道，SK海力士公司内部人士透露，该公司已开始研发第四代10纳米级DRAM，内部代号为“南极星”(Canopus)，预计将在制程中导入EUV光刻技术。

集微网消息 据韩媒报道，SK海力士公司内部人士透露，该公司已开始研发第四代10纳米级DRAM，内部代号为“南极星”(Canopus)，预计将在制程中导入EUV光刻技术。

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目前，SK海力士最先进的DRAM产品主要围绕1Y纳米、1Z纳米制造工艺，该公司计划在今年下半年将这两种工艺比重提高到40%。此外，SK海力士将继续推进DRAM的制造技术。

报道指出，“Canopus”将是SK海力士迄今面临的最关键项目之一，因为这是该公司首度应用EUV光刻技术生产DRAM。不过一位消息人士指出:“当下最重要的问题是，SK海力士能否通过使用EUV技术确保其产品的竞争力。”

根据此前报道，三星3月份宣布，已出货100万个基于第四代10nm级EUV工艺的DDR4 DRAM模块，并预计明年量产，同时该公司未来几代的DRAM产品将会全面导入EUV技术。而据悉，SK海力士旗下该款1a级DRAM预计将在2021年推出，届时围绕EUV的芯片制造市场竞争将更加激烈。

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