第一款！中芯国际N+1工艺芯片流片成功

芯动科技今天宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链再立新功。

中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。第二代FinFET N＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。

梁孟松博士也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。

芯动科技拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，曾多次在芯片先进工艺上填补国内空白。自2019年开始，芯动科技在中芯国际“N+1”工艺尚待成熟的情况下，技术团队全程攻坚克难，投入数千万元进行优化设计，基于中芯国际“N+1”制程的首款芯片经过持续数月、连续多轮的测试迭代，成功助力中芯国际突破“N+1”工艺良率瓶颈，从而向着实现大规模量产迈出了坚实一步。

中芯国际是国内规模最大、也是技术最先进的集成电路芯片制造企业。N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积减少55%，被称为“国产版”的7nm芯片技术。

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