值得了解的Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器

随着社会的快速发展，我们的隔离栅极驱动器也在快速发展，那么你知道隔离栅极驱动器的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。

致力于建立更智能、更互联世界的领先芯片、软件和解决方案供应商SiliconLabs(亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB)，日前推出新型Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。新产品结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力，可更靠近功率晶体管放置，实现紧凑的印制电路板(PCB)设计。这些栅极驱动器所取得的新进展可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制，同时支持使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和快速SiFET等新兴技术。

在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。

SiliconLabs副总裁兼电源产品总经理BrianMirkin表示：“汽车、工业和可再生能源市场的电源转换器设计人员正在通过新兴的能效标准和新的技术选择来管理动态环境，同时满足对安全和电源的持续需求。我们的新型隔离栅极驱动器提供了电源工程师所需的满足并超过行业要求的高性能，包括扩展的输入电压范围、更低的延迟、更高的抗扰性和快速开关能力。”

然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。

SiliconLabs的隔离栅极驱动器技术可用于多种电源应用，包括数据中心电源、太阳能微型逆变器、汽车市场的牵引式逆变器和工业电源。

在电力电子中，出于功能和安全考虑需要进行隔离。由于采用了栅极驱动器(例如在驱动技术中采用半桥拓扑形式)，因此会与高总线电压和电流接触，隔离不可避免。

Si823Hx/825xx系列产品的差异化特性经过了专门配置，可满足在充满挑战的电源环境中工作的设计人员的需求。SiliconLabs系列产品提供了独特的升压器件，可提供更高的拉电流，实现更快的FET导通速度。对称的4A灌/拉电流能力意味着拉电流几乎是前代驱动器的两倍，这有助于减少开关损耗。新的隔离栅极驱动器将延迟减少了一半，最大传播延迟为30ns，从而减少了反馈环路延迟，可获得更高的系统效率。这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力，进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。输入电压范围(VDDIH)也得到了扩展，从4.5V至20V，支持与典型模拟控制器的电源轨直接接口。

以上就是隔离栅极驱动器的有关知识的详细解析，需要大家不断在实际中积累经验，这样才能设计出更好的产品，为我们的社会更好地发展。