关于新一代100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）解析

随着社会的快速发展，我们的氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管也在快速发展，那么你知道氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高并且成本更低，可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广，包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器(硬开关和谐振式)和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。

氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。

氮化镓的答案是针对每个器件的大小制定漏电流限制。国际整流器(International Rectifier) 所示的典型漏电流600V级联。这实现了每毫米栅极宽度50nA以下的漏电流。该器件必须在额定电压及以上阻断。

EPC2204的导通电阻降低了25%，但尺寸却缩小了3倍。 与基准硅MOSFET器件相比，其栅极电荷(QG)小超过50%，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷(QRR)，从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和电机驱动器。

简单的级联电路无法提供转换速率(slew rate)控制，从而使PC板布局变得至关重要。此外，栅极驱动器的特性是部分地由封装内部串联的源极电感所控制的。

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示：“大家预计最新一代且性能优越的100 V eGaN FET的价格会更高。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化器件相近。我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势是性能更高、尺寸更小、散热效率更高且成本相近。氮化镓器件正在加速替代功率MOSFET器件。”

以上就是氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管的有关知识的详细解析，需要大家不断在实际中积累经验，这样才能设计出更好的产品，为我们的社会更好地发展。