HBM成本攀升且产能遭挤占，2027年价格预计翻倍

据市场预测，随着高带宽存储器（HBM）整体制造成本上升及规格升级，2027年其平均价格将出现大幅上涨，初步估计涨幅至少成倍增加。据悉，相较于HBM3E每Gb平均约1.5~1.6美元（约人民币10.22~10.90元）的定价，尽管HBM4在今年下半年的单价已升至2美元（约人民币13.62元）左右，但这仍难以覆盖存储原厂的制造成本。因此，业界预计2027年HBM单价有望攀升至4~5美元（约人民币27.24~34.05元）甚至更高，同时旧款HBM3E的价格也会随之上调。

供应链人士指出，2027年HBM价格翻倍上涨已成定局。这主要是因为HBM4的初始量产良率较低，且需要搭配逻辑工艺基础裸晶（Base Die），加上堆叠层数增加，导致其消耗的晶圆产能达到DDR5 DRAM的三倍，整体产能消耗远超HBM3E。此外，HBM技术迭代速度较以往的DDR产品快了近三倍，约两年便更新一代。为了持续推进新技术节点和进行设备投资，存储原厂必须承担更高的先进HBM生产成本。据悉，三星电子虽率先通过HBM4认证并进入量产，但初期良率并不理想。不过业界人士认为，随着学习曲线的提升，良率问题将逐步解决，2027年三星在HBM4市场的份额将快速扩大，而SK海力士仍将保持重要供应商地位。

另一方面，HBM对传统DRAM产能的挤占效应，促使上游原厂调整产能分配策略。据业界观察，DDR5的毛利率在2026年持续走高，营业利润率甚至超过80%并逐季上涨，出现了DDR5毛利率高于HBM的特殊情况。由于DDR5的生产周期约为3至3.5个月，而跨越存储与逻辑工艺的HBM4生产周期长达4至6个月，近期市场传出三星和SK海力士等厂商转而增产DDR5。这不仅是因为利润更为丰厚，且在产能调配和技术转换上更加便捷。业界认为，当DDR5的利润吸引力大于HBM时，HBM制造的利润空间相对下降，这将促使上游原厂在2027年的合约谈判中重新提高HBM报价。

尽管近期Meta计划出租算力引发了市场对AI需求见顶的担忧，但供应链人士强调，目前AI基础设施建设需求依然庞大，2027年全年未见放缓迹象。Meta此举旨在通过提前布局算力租赁，在竞争对手调整策略前抢占市场定价权。同时，大型云服务提供商（CSP）对2027年的资本开支规划十分积极，服务器存储与HBM的实际需求呈持续增长态势。据业界透露，存储三大巨头已全面启动HBM4量产，但2026年的出货主力仍是HBM3E。随着Rubin平台的大规模交付，2027年的HBM年度定价有望提前至2026年第四季度确定。

在存储产能持续紧张的背景下，各大原厂近期纷纷与大客户签署3至5年的长期协议（LTA）。这意味着在协议期内，约20%至30%的通用DRAM出货量被提前锁定，且原厂保留了后续调价的弹性条款。业界指出，HBM将占据约30%的DRAM产能，加上长期协议锁定的20%至30%产能，2027年起将有约50%的产能面临被挤占的风险。未能签署长期协议的企业或消费级应用领域，在2027年遭遇断货的风险将大幅增加。市场认为，虽然HBM涨价带来的成本压力可能导致CSP在短期内调整采购节奏，但长期来看，对HBM及存储器的需求仍将不断攀升。

注：按1美元≈6.81人民币计算