据韩国媒体ETnews报道，三星电子近日研发出全球首款900层V-NAND闪存原型，进一步逼近千层NAND的技术目标，从而在激烈的市场竞争中巩固自身优势。在技术实现方面，该900层集成系统应用了多键合工艺，把两片450层晶圆贴合在一起。通过增加闪存堆叠层数，不仅能够提升数据存储密度，还能有效减少能耗，这种高密度架构在处理人工智能计算任务时展现出明显优势。
作为AI服务器、智能终端以及数据中心固态硬盘的核心元件，NAND闪存的堆叠层数直接决定了芯片容量。在有限的物理尺寸内容纳更多数据可最大化存储性能，这也是抢占AI服务器及端侧AI市场的关键所在。从量产进度来看，SK海力士目前凭借321层4D NAND闪存及高成品率处于领先地位。而三星电子计划于年内量产层数超过400层的第十代V-NAND产品，并在研发端率先突破900层，提前布局下一代闪存市场。三星电子方面指出，相关测试已证实存储单元具备正常的运行特性，表明此项技术并非停留在理论层面，而是具备了实际应用的可行性。
自2013年3D V-NAND实现商业化后，三星电子持续优化制造工艺以突破堆叠瓶颈。传统的单次钻孔单层堆叠方式在层数增加时，容易引发晶圆变形或错位等物理问题。为此，研发团队引入了新型晶圆卡盘设计，有效克服了900层堆叠时的晶圆翘曲难题，并利用专属的套刻对准技术修正了键合过程中的微小偏差。同时，全新的位线与字线结构也显著缩小了芯片面积并降低了功耗。
与此同时，中国存储厂商正加速追赶，其300层NAND产品已接近量产阶段，并持续扩充产能与推进技术迭代。随着未来闪存市场价格竞争日益激烈，韩国企业面临一定压力，三星电子推进900层技术研发也是应对中长期市场竞争的战略举措。
