AI需求猛！三大存储芯片缺货将延续到2026年

据业内机构预测，到2026年，主流NAND闪存制造商基本没有扩充新产能的计划，全年市场仍将维持供不应求的状态。200层以上的高端闪存产品将逐渐成为市场主力，行业产能将继续向服务器领域集中，企业级SSD的市场普及率也将随之提高。针对这一情况，美光科技与摩根大通均明确指出，HBM、NAND闪存和DRAM这三大核心存储产品的供应短缺现象，将一直延续至2026年之后，而人工智能算力需求的激增正是引发此次行业供需失衡的关键原因。

据美光相关负责人在摩根大通全球科技、媒体和通讯年度大会上透露，高性能存储芯片是提高AI模型运行效率的关键硬件，但HBM、NAND闪存及DRAM的产能无法迅速扩大，短期内难以缓解市场紧张局势。美光还透露，公司正把EUV光刻技术引入1-gamma工艺的DRAM生产环节，该工艺有望成为其历史上单片晶圆产出最高的DRAM技术。在产品更新方面，HBM4的产能增长速度已达HBM3的两倍，而下一代HBM4E预计于2027年开始量产，首批产品将基于1-gamma工艺模块制造。

在需求层面，随着人工智能应用从基础训练向推理及代理式AI等场景不断拓展，算力要求持续攀升。AI服务器对内存和闪存的消耗量远超传统设备，导致现有产能被大量消耗。尽管消费电子领域因存储芯片价格上涨而需求放缓，但服务器市场的强劲订单已完全弥补了这一缺口。在供给层面，由于存储芯片技术升级放缓且性能提升空间受限，加之HBM芯片尺寸增加导致单片晶圆切割数量下降，整体供给能力受到挤压。此外，EUV光刻技术在先进DRAM工艺中的应用虽提高了精度，却也抬高了量产门槛并拖慢了产能爬坡。