据相关消息透露,全球存储芯片巨头三星电子正规划对其生产线进行重大调整,预计到2027年,其平泽P4工厂的绝大部分生产能力将被分配给高带宽内存(HBM)的制造。
作为行业内的领军企业,三星此举将直接导致常规动态随机存取存储器(DRAM)的可用生产资源遭到显著削减。当前,人工智能领域的蓬勃发展带动了HBM订单的激增,这使得常规DRAM的市场供应短缺现象日益严峻,进而促使全球存储芯片市场的供需失衡状态持续加深。
在整体制造资源相对受限的市场环境中,各大主流存储芯片制造商均倾向于将生产重心向利润更丰厚的人工智能配套存储组件转移。这种产能配置的优化策略,不仅加剧了常规存储芯片的供应紧张态势,也已成为当前半导体存储领域的主流发展趋势。