国内首次实现8英寸ALD钼工艺突破

据报道，九峰山实验室化合物半导体中试工艺平台与国内本土原子层沉积（ALD）设备企业联合技术攻关，成功实现了ALD金属钼工艺的重大突破。

在研发过程中，团队采用二氯二氧化钼作为工艺前驱体，这种材料稳定性强且使用效率高。在四百摄氏度的工艺温度下，团队成功制备出性能优异的金属钼薄膜。整套工艺方案运行稳定，薄膜的成膜质量、均匀性及各项关键参数均达到了行业先进水平。这也是国内首次在8英寸半导体工艺平台上完成该套ALD钼工艺的完整开发与验证。

原子层沉积设备是半导体先进制造和化合物半导体器件生产中的核心装备。金属钼薄膜以其优良的导电性能和贴合度，广泛应用于第三代、第四代半导体功率器件、射频芯片以及先进封装互联层等场景，是提升器件耐压能力、降低导通损耗的重要材料。然而，高端ALD配套金属薄膜工艺长期被海外技术垄断，本土设备厂商在高端工艺适配与量产化应用方面面临诸多挑战。

九峰山实验室通过完善的化合物半导体中试研发载体，持续联动本土设备企业推进工艺自研与技术适配。此次8英寸ALD钼工艺的突破，不仅验证了国产ALD设备在高端精密薄膜沉积领域的技术实力，也标志着国内化合物半导体产业链在设备端与工艺端的协同发展迈出了重要一步。