威刚董事长陈立白：NAND闪存涨幅将超DRAM

全球存储芯片龙头三星电子因劳资矛盾激化，即将开启为期18天的大规模罢工。这一事件不仅对韩国本土经济造成冲击，还可能进一步推高DRAM和NAND闪存的价格。相关人士表示，此次罢工对市场心理层面的影响尤为显著。

据报道，三星电子工会与资方在薪资和奖金谈判中未能达成一致，导致罢工计划落地。工会要求将公司运营利润的15%作为绩效奖金，三星拒绝接受这一诉求。韩国政府对此高度重视，总统及相关官员呼吁双方尽快和解，但目前尚未介入干预。

针对此次事件，威刚董事长陈立白分析称，罢工可能在1个月内结束，对实际产能影响有限，但会强化市场涨价预期。他预计，未来3个月内NAND闪存的涨幅将超过DRAM，下半年两类产品合约价将同步上行，多头行情将持续至2027年。

当前，全球存储芯片市场受人工智能、数据中心等需求拉动，已处于供需紧平衡状态。NAND闪存因价格基数较低，叠加新兴领域需求爆发，短期内涨势更为强劲。市场人士认为，DDR4价格高点尚未到来，未来仍有上涨空间。

中长期来看，2026至2027年全球新增存储产能有限，涨价周期将持续。2028年，随着三大原厂新增产能释放，市场供需格局或将迎来新变化。此次罢工虽实际影响有限，但在供需偏紧的背景下，恐引发下游客户恐慌性备货，进一步推高价格波动幅度。