5月15日，三星电子与SK海力士同步发布财报，揭示了2026年第一季度全球存储市场的惊人表现。数据显示，存储价格的暴涨成为业绩增长的核心驱动力，但同时也对终端制造业务带来成本压力。
三星电子财报显示，2026年第一季度DRAM与NAND混合平均售价较2025年全年均值暴涨146%。尽管未单独拆分DRAM与NAND的涨幅，但HBM4、DDR5等高带宽内存以及大容量SSD用NAND的需求表现强劲。SK海力士的数据同样惊人：DRAM均价环比上涨超过60%，NAND均价环比上涨超过70%。尽管NAND出货量环比下降10%，但量减价增的现象反映了供需关系的极度紧张。
从财务表现来看，SK海力士第一季度营收达52.58万亿韩元，同比增长198%，营业利润率高达72%，甚至超过英伟达同期水平。三星电子的DS部门（半导体业务）营业利润达53.7万亿韩元，贡献了集团94%的利润。
然而，存储价格的暴涨对三星电子的终端制造业务形成反噬。财报显示，DX部门（终端制造）的移动内存成本同比激增107%，直接推高了手机、平板等产品的物料成本。为应对这一压力，三星首次将移动内存列入原材料采购清单。第一季度，移动内存占采购总额的9.4%，首次超过摄像头模块（8.9%），仅次于移动AP（19.9%）与显示屏（10.2%）。值得注意的是，美光成为三星手机内存的关键供应商，打破了长期以来自研自用的格局，显示出内部供货可能已无法满足需求或成本过高。
AI驱动的存储需求激增，推动两家企业在研发领域投入巨资。三星第一季度研发投入达11.34万亿韩元，同比增长25.5%，资本开支11.23万亿韩元，其中90.7%投向DS部门。全年计划投入110万亿韩元用于资本开支与研发，重点布局AI半导体与机器人等新兴业务。SK海力士的研发投入增幅更为显著，第一季度达2.55万亿韩元，同比增长68.3%，占营收的4.9%。其产品路线图显示，HBM4E预计于2026年下半年送样，并于2027年量产，核心芯片将采用1c DRAM工艺。
当前存储市场的涨价属于AI驱动的结构性短缺。单台AI服务器的内存配置是普通服务器的8-10倍，全球超过2/3的DRAM产能被AI与服务器市场消化。供需失衡下，存储市场的高景气周期预计将持续较长时间，HBM、DDR5与企业级SSD成为核心增长引擎。
对产业链而言，上游存储厂商赚得盆满钵满，而下游终端制造商则不得不承担高成本并调整供应链策略。同时，HBM技术竞赛加速，先进制程与封装能力成为制胜关键，全球半导体产业重心进一步向AI存储与算力基础设施倾斜。
