据韩媒Theelec报道，2026年第一季度，三星电子和SK海力士的研发费用显著增长，增幅最高达68.3%。这一趋势反映了AI专用存储器开发竞争的加剧。
三星电子在2026年第一季度的研发支出约为11.34万亿韩元（约合76.76亿美元），同比增长25.5%。其研发成果中，第六代高带宽存储器（HBM4）尤为引人注目。三星于2026年2月宣布HBM4量产出货，采用10纳米级第6代1c DRAM制程，而基础裸晶则由三星晶圆代工4纳米制程生产。此外，三星正在开发第七代HBM4E，预计2026年第二季度提供首批样品。
与此同时，SK海力士在2026年第一季度的研发费用达到2.55万亿韩元，同比增长68.3%，占当季营收的4.9%。自2025年第四季度以来，由于HBM等AI存储器需求激增，SK海力士的研发费用已突破2万亿韩元。该公司正全力推进HBM4E的研发，目标是在2026年下半年提供样品，并于2027年实现量产。
在资本支出方面，三星第一季度投资约11.23万亿韩元，其中半导体装置解决方案（DS）部门占比高达90.7%。资金主要用于提升新一代存储器技术竞争力、满足中长期需求，以及扩充系统半导体先进制程产能。三星计划2026年全年设施与研发投资总额超过110万亿韩元，重点用于AI半导体技术升级和新业务并购。
SK海力士第一季度的设施投资约为7.35万亿韩元，同比增长21.9%。其中，半导体厂房建设占主要部分，约为6.02万亿韩元。SK海力士表示，HBM4E的核心晶粒将采用1c制程，而基础裸晶则根据客户需求选择对应制程开发。
三星副会长全永铉在2026年3月的股东大会上表示，公司计划显著增加设施投资规模，并进一步强化新一代制程与关键技术的研发，以确保技术领先地位。
