SK海力士加速推进韩国龙仁半导体园区建设

SK海力士正加速推进其位于韩国龙仁的半导体园区建设，以应对AI半导体市场的快速增长。据韩媒Newdaily援引业界消息，SK海力士计划于2026年8月启动龙仁园区第一期Fab二阶段的建筑工程，并同步规划后续产线布局，以进一步扩大产能。

龙仁半导体园区占地416万平方米，位于京畿道龙仁市处仁区远三面一带，地处首尔南部。园区总体规划包括建设4座先进的半导体Fab。其中，第一期Fab由2个骨架结构和6间无尘室组成。SK海力士已于2025年2月启动一阶段骨架基础工程，并计划在2026年4月进入二阶段骨架基础工程，随后于同年8月正式展开建筑工程。

值得注意的是，SK海力士对第一期Fab的建设投资高达约31万亿韩元（约合209.89亿美元）。原定于2027年5月启用的首间无尘室，也将提前至2027年2月，显示出其加快量产步伐的决心。

业界分析认为，SK海力士此举旨在提前确保产能，以满足AI存储器需求的增长。与此同时，全球半导体厂商的设备投资竞争也日益激烈。例如，三星电子已将其韩国平泽厂P5 Fab 1和Fab 2的动工时间从2027年初提前至2026年下半年。