据业内消息透露，三星电子正在研发一种新型高带宽内存封装技术，旨在为移动终端提供更强的端侧人工智能能力。新技术基于现有的垂直铜柱堆叠架构，融合了超高深宽比铜柱与扇出晶圆级封装工艺，进一步提升了数据带宽和存储容量。
传统移动低功耗内存封装多采用铜线键合工艺，仅支持128至256个输入输出端口，存在信号损耗高、散热与能效表现不足等问题。三星此前推出的垂直铜柱堆叠技术通过阶梯式堆叠存储芯片并以铜柱互联，已显著改善了这些问题。此次新技术将铜柱深宽比从3-5:1提升至15-20:1，大幅提高了数据传输能力。为解决微米级细铜柱易弯折断裂的问题，三星结合扇出晶圆级封装制程，利用塑封布线结构为铜柱提供支撑，从而在相同面积下实现更多输入输出端口，带宽预计提升15%至30%，存储容量增幅超1.5倍。
目前，该技术仍处于研发阶段，量产时间尚未确定。业内分析认为，其可能应用于猎户座2800迭代版本或猎户座2900处理器。不过，由于服务器与数据中心对高带宽内存的需求持续增长，可能分散研发资源，从而延缓移动端高带宽内存的商业化进程。
与此同时，SK海力士也在加速布局智能手机和扩展现实设备专用的半导体封装技术。公司正在开发一种高带宽存储封装方案，将低功耗内存与闪存垂直堆叠于应用处理器旁，采用垂直扇出封装工艺替代传统铜线键合，显著提升布线密度与传输速度，以满足终端设备日益增长的AI算力需求。
随着人工智能技术的快速发展，高带宽内存封装技术正成为半导体行业的重要竞争领域，三星与SK海力士的创新或将为移动终端带来全新性能体验。
