沈阳拓荆半导体设备基地冲刺建设，预计7月封顶

据创新浑南消息，沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目近日进入建设的关键收尾阶段，正全力推进机电安装工作。该项目总投资达20亿元，总建筑面积15.6万平方米，包含研发中心和洁净厂房两大核心区域，是国家半导体装备国产化的重要标杆工程。

项目计划于7月中旬实现全面封顶，年底前完成幕墙封闭，为2024年的室内装修和园林施工打下基础，预计2027年底实现整体竣工交付。作为芯片制造领域的核心项目，该基地将专注于全球领先的薄膜沉积设备研发与产业化，助力补齐国产半导体装备的产能短板，显著提升我国高端芯片制造设备的自主供应能力，进一步推动半导体产业链供应链的自主可控。

在产能升级方面，项目投运后，沈阳地区的产能将提升至目前的四倍，全面支持PECVD、SACVD、HDPCVD等高端薄膜设备的产业化落地。