据报道，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）技术是半导体制造中一种重要的薄膜沉积工艺，也是实现器件微缩与三维结构的核心基础。如果将芯片制造比作建造房屋，那么薄膜沉积就相当于在基板上逐层堆叠建材的过程。
据国际半导体产业协会（SEMI）、应用材料公司（Applied Materials）以及中国台湾地区成功大学的综合说明，当半导体器件的制程工艺缩小到纳米级别时，传统沉积技术已无法满足日益严苛的空间要求。而ALD技术则能够在原子级别上实现精准、均匀的材料层沉积。
ALD工艺通过多个化学循环完成沉积。首先，将第一种气态前驱物注入并与基板发生反应，随后利用惰性气体清除未反应的化学物质。接着，注入第二种反应气体，与表面吸附物进一步反应生成目标薄膜，再次进行气体清洗。通过这种注入与清洗的循环，ALD技术能够在关键组件表面逐层包覆材料，并将厚度精确控制在“埃”级别。
在全球半导体供应链中，ALD设备的主要供应商包括应用材料、科林研发（Lam Research）、荷兰ASM、芬兰Picosun、日本东京威力科创（TEL）、Kokusai Electric，以及中国台湾地区天虹科技等企业。
