据韩媒Theelec报道，荷兰后段制程设备商贝思半导体（Besi）在2026年第一季度财报电话会议中透露，三星电子预计将在2026年中期引入混合键合（hybrid bonding）技术。这一消息使三星的技术路线图更加清晰。
混合键合技术相较于传统热压键合（TCB）具有显著优势。三星此前在NVIDIA GTC 2026活动上公开表示，混合键合技术可将热阻降低20%以上，同时支持16层以上的高堆叠结构，互连密度提升15倍，能源效率（EEP）更是提升超过100倍。
然而，全球存储器标准制定组织JEDEC计划放宽次世代高带宽存储器（HBM）的封装高度限制，从现行的775微米（µm）放宽至825µm或900µm。Besi CEO Richard Blickman指出，这一调整主要是为了满足三大存储器厂商中某一家的制程需求，其余两家厂商则不受影响。
尽管封装高度限制可能延缓混合键合技术的引入，但Besi强调，混合键合在电路速度、功耗和发热控制方面的优势已得到明确验证。因此，HBM厚度限制的放宽并未改变技术采用的整体趋势。
Besi预测，基于混合键合的HBM产品将从2027年开始大规模量产。目前，三星、SK海力士和美光三大存储器厂商正根据某特定终端客户的要求进行设备评估，目标是在2026年底前准备好相关产品。业界普遍认为，该终端客户极有可能是NVIDIA。
