据韩媒ET News援引业界消息，韩国政府计划投入5,000亿韩元（约合3.57亿美元）国库资金，启动“新一代功率半导体研发项目”，目标是实现功率半导体的本土化生产。同时，韩国政府将2026年视为转向8寸量产体制的关键节点，并引入“需求者主导型研发模式”，由需求企业主导规划并负责商用化。
新一代功率半导体采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物材料，相较于传统硅基半导体，在高温、高压及高频环境下的性能更优。这类半导体被广泛应用于国防、电动车（EV）及电网建设等核心领域。然而，目前韩国在功率半导体领域仍高度依赖进口，约90%-95%的需求需通过海外满足。
韩国政府已制定详细计划，预计在2026年启动基础设施筹备工作，并于2027年开始量产1.2kV级“SiC金氧半场效晶体管（MOSFET）”等核心元件。目标是到2030年，将功率半导体的技术自给率与本土生产比重提升至目前的两倍。
此外，韩国政府计划建设一座8寸公用晶圆厂（Public Fab），以加速技术向民间晶圆代工厂转移。目前功率半导体主要以6寸晶圆为主，转向8寸量产有望提高产量并降低成本。
此次项目打破传统供应端主导的研发模式，转而由需求企业负责规划。各领域的领先企业将主导研究，并根据市场需求整合材料、元件、模块及系统等价值链企业。这不仅涉及技术研发，还涵盖从材料到系统验证的全流程管理，最终由领先企业负责产品商用化。
应用领域包括能源网、AI基础设施、电动车（e-Mobility）、绿能船舶、国防及航空等。三星电子、现代摩比斯、韩国电力公社等企业被视为各领域的领先候选者。若候选企业较多，将优先选择具备全周期联合体构建能力、商用化责任感及全球竞争力的企业。
业内人士指出，全球功率半导体领域的竞争已进入成熟阶段，中国企业也在快速追赶。然而，韩国目前可用的国产芯片严重不足，政府推动生态系建设已迫在眉睫。
近期，韩国正积极将功率半导体定位为次时代战略产业。据韩媒亚洲经济报道，韩国企业SK Key Foundry与DB HiTek正加速推进采用SiC、GaN等新材料的功率半导体研发，目标是在2026年内实现量产。
