据韩媒《首尔经济》报道，受人工智能需求推动，存储器市场进入新一轮繁荣期。2026年第一季度，三星电子与SK海力士均取得亮眼业绩，但两者间的利润差距却持续扩大，背后的主要原因是通用型DRAM的营收规模差异。
市场数据显示，三星电子半导体部门（DS部门）该季度营业利润约为53万亿韩元（约合360亿美元），而SK海力士接近38万亿韩元，两者相差约15万亿韩元。具体来看，三星通用型DRAM营收约59万亿韩元，而SK海力士则为30万亿韩元。三星凭借其“产能之王”的优势，月产能超过50万片，远超SK海力士的40万片，从而在出货量、营收和利润规模上拉开差距。
尽管高带宽存储器（HBM）等AI存储器备受关注，但短期内主导业绩分化的仍是通用型DRAM。HBM因长期合约（LTA）限制，价格弹性较低，而通用型DRAM以现货和短期合约为主，能更直接反映市场供需变化，展现出更强的获利能力。
从产能布局来看，三星位于平泽的P4厂区预计于2026年底全面量产，新增产能将主要用于通用型DRAM，进一步巩固其竞争优势。SK海力士则通过清州M15X和龙仁半导体园区的新厂建设加速追赶，但短期内仍难以弥补差距。
值得注意的是，通用型DRAM价格涨势优于HBM，主要源于两者商业模式的差异。HBM市场以长期供应合约为主，价格波动较小；而通用型DRAM以现货和短约为主，能快速反映需求激增带来的价格变化。市场普遍认为，这种由通用型DRAM带动的高利润状态未必具有长期持续性，一旦供需关系反转，价格波动可能更加剧烈。
从技术角度看，HBM正迈入更高门槛阶段。随着第六代HBM4导入全数检验标准，制造良率面临更严格挑战。HBM采用多层堆叠设计，任一层晶粒缺陷都可能影响整体良率，从而拉高生产成本和技术门槛。预计2027年前后推出的HBM4E，数据传输速度有望提升至15 Gbps以上，较前一代提升约30%。然而，随着效能和制程复杂度的提升，生产周期和成本也将增加。
此外，HBM对产线资源的排挤效应日益明显。目前业界普遍认为，生产1颗HBM产品所需的产能相当于4颗通用型DRAM，而HBM4E时代可能进一步扩大至1比5。这意味着，厂商在追求高毛利HBM的同时，也需在产能配置与机会成本之间找到平衡。
总体来看，存储器产业呈现出短期依赖通用型DRAM获利、长期由HBM决胜的双轨结构。在行业景气高峰之际，如何提前布局下一阶段技术和产能，延续竞争优势，将成为后续关注的重点。
