SK海力士发力混合键合技术，HBM领域再迎突破

据韩国媒体TheElec报道，SK海力士在4月28日于韩国首尔举行的半导体会议上宣布，其应用于高带宽内存（HBM）的混合键合技术产量较两年前显著提升，进一步巩固其在先进封装领域的竞争力。

混合键合技术是一种前沿的封装工艺，通过直接连接芯片间的铜垫，省略了传统的金属凸点或铜柱结构。这不仅减少了热量生成，还大幅提升了数据传输速度，同时实现了更薄的堆叠高度。SK海力士技术负责人Kim Jong-hoon表示，该技术能够实现比现有方法更精细的互连间距，为高性能计算和人工智能应用提供了强有力的支持。

尽管产量有所提升，但Kim Jong-hoon也指出，经济可行性仍是当前技术发展面临的主要挑战。为此，SK海力士计划继续优化其大规模重流模塑填充（MR-MUF）技术，以降低成本并提高生产效率。他强调，技术策略与价值创造同样重要。

随着HBM技术的不断演进，堆叠层数的增加使得制程复杂性显著提升，推动了封装技术的持续创新。从热压非导电薄膜（TC-NCF）到MR-MUF，再到如今的混合键合技术，每一步都有效减少了翘曲问题并提高了生产效率。Kim Jong-hoon透露，公司已完成12层HBM堆叠的验证，并在量产准备方面取得显著进展。

业界观察人士预测，混合键合技术有望在今年下半年或2027年随着16层HBM产品的商业化逐步推出。