据韩媒《首尔经济》报道，三星电子正全力推进平泽园区第四工厂（P4）的建设，目标是提前实现量产，以抢占人工智能（AI）存储器市场的巨大商机。P4厂总投资达50万亿韩元（约合340亿美元），通过“临时使用核准”机制，预计可提前约6个月，力争在2026年内全面投产。
业界分析认为，三星此举不仅是为了扩产，更是结合第六代高带宽存储器（HBM4）技术，打造制造层面的“超级差距”，以大规模产能优势巩固其在AI存储器领域的主导地位。根据规划，三星计划分别于2026年7月和11月取得P4厂上层（Ph4）与下层（Ph2）产线的临时使用核准，并同步导入设备、启动试产和量产流程。
“临时使用核准”机制允许在厂房尚未全面完工前，针对特定区域提前取得使用许可，从而加速设备进场安装与测试。目前，P4厂采用双层结构，规划设置4座无尘室，但仅部分产能已投入运作。三星物产（Samsung C&T）近期以超过1.3万亿韩元承揽下层收尾工程，标志着整体建设进入最后阶段。
与此同时，平泽第五工厂（P5）的建设也在加速推进。P5厂预计采用3层设计，配置6座无尘室，总投资规模高达80万亿韩元，将成为三星历史上最大规模的半导体生产厂之一。三星已与三星物产及三星E&A签署总额超过4万亿韩元的结构与建筑工程合约，正式启动主体工程。
业内人士指出，三星加速推进P4与P5建设的核心目的在于应对2026年下半年AI芯片需求的爆发式增长。随着NVIDIA下一代AI平台“Vera Rubin”即将量产，HBM、NAND Flash等存储器需求预计将大幅攀升。在此背景下，三星正通过“技术＋产能”双轮驱动，将HBM4等先进产品的技术优势转化为实际出货量与市占率的提升。
据透露，三星2026年的整体设备投资规模预计将达到70万亿韩元，其中相当比例将集中于平泽园区。若P4厂能如期提前量产，将有助于进一步提升三星在全球AI存储器市场的竞争力，同时在当前半导体行业的繁荣周期中显著推升获利表现。
