近日，SK海力士参加了台积电在美国举办的北美技术论坛，展示了其在AI存储器领域的最新成果，进一步巩固了与台积电的战略合作关系。据韩联社、iNews24等韩媒报道，SK海力士在论坛上展出了第五代高带宽存储器（HBM3E）、第六代HBM4以及服务器用DRAM产品线。
在HBM4展示区，SK海力士特别标注了“采用台积电先进制程技术的基础裸晶（base die）”，以突出双方的技术合作。目前，SK海力士的HBM4采用第五代10纳米级DRAM（1b）制程，并使用台积电12纳米基础裸晶。
SK海力士开发总管安炫以演讲者身份出席论坛，并以“新一代AI存储器：智能化、融合与协作”为主题发表演讲。他指出，要突破阻碍AI技术发展的“存储器瓶颈”，需要超越传统架构改良的创新方法。存储器与逻辑技术的整合，将成为提升AI效能的关键突破口。
安炫还透露，从HBM4开始，SK海力士将在基础裸晶中导入台积电的先进逻辑制程，进一步深化双方合作。未来，SK海力士计划推出更多定制化解决方案，包括高带宽快闪存储器（HBF）和3D DRAM，以满足客户在AI运算领域的多样化需求。
通过此次论坛，SK海力士不仅展示了其技术演进方向，还向外界传递了与台积电坚定合作的信号。未来，SK海力士将继续以技术领导力推动AI时代的创新发展。
