据报道，台积电（TSMC）于美国当地时间4月22日举办了2026年北美技术论坛。在尖端逻辑制程领域，台积电公布了A14工艺之后的A13和A12两项先进制程技术，预计将在2029年实现量产。
A13工艺是A14的直接光学缩小版本，设计规则与A14完全兼容，同时节省了6%的芯片面积。此外，通过设计与技术协同优化，A13进一步提升了能效和性能表现。而A12工艺则是台积电在A16之后推出的全新超级电轨（Super Power Rail）背面供电技术，专为AI和高性能计算（HPC）应用打造。
此外，台积电还推出了2nm制程平台的升级版本N2U。相比N2P，N2U在速度上提升了3-4%，或在功耗上降低了8-10%，同时逻辑密度提高了2-3%。该技术预计将在2028年投入生产。与此同时，台积电还发布了首款采用GAA（环绕栅极晶体管）架构的车用制程技术N2A。相比今年投产的N3A，N2A在相同功耗下速度提升15-20%，并计划于2028年完成AEC-Q100认证。
在相对成熟的制程领域，台积电今年首次将高压技术引入FinFET晶体管架构，推出了面向显示驱动芯片（DDIC）的N16HV制程。相比N28HV，N16HV的栅极密度提升了41%，功耗降低了35%，为显示驱动领域提供了更高效的解决方案。
