据韩媒Ddaily报道，受人工智能（AI）技术快速发展的影响，存储器市场需求持续增长，NAND Flash市场也迎来新的发展机遇。为应对供应紧张局面，三星电子与SK海力士正加速提升其在中国的NAND生产基地的战略地位，并启动一系列升级措施。
SK海力士正全力提升大连工厂的运营效率。目前，大连一厂正加速淘汰老旧设备，重点提升192层制程的生产效率；大连二厂预计在2026年下半年投入V8制程的新产能建设，规模约为3万至5万片晶圆。业内人士指出，得益于美国对设备出口管制的宽限政策，SK海力士得以顺利推进大连工厂的技术升级，目标是将其打造为最先进的NAND生产基地。
三星则将西安工厂视为NAND业务的核心据点。西安一厂已完成V8制程的转换，预计2026年下半年启动产能提升计划；西安二厂则计划进行V9制程的转换，预计将新增3万至4.5万片晶圆产能。三星采取“双轨并进”策略，在维持现有制程的同时，加速推进最新3D NAND技术，以满足高容量企业级固态硬盘（eSSD）市场的需求。
分析认为，随着AI推理领域扩展，处理大规模数据所需的KV快取（KV Cache）需求激增，企业级eSSD订单呈现爆发式增长。在此背景下，中国工厂能否顺利完成制程转换并稳定量产，将成为影响2026年下半年NAND市场格局的关键因素。
与此同时，韩国本土的半导体生产线资源主要集中于先进DRAM和高带宽存储器（HBM）的生产，难以腾出足够空间满足NAND需求的增长。因此，三星平泽园区和SK海力士利川、清州工厂等本土产线短期内难以承担更多NAND扩产任务，促使两大厂商将目光转向海外生产基地。
