SK海力士近日发布了截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。报告显示，公司当季营业收入达52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。营业利润率和净利润率分别达到72%和77%，创下公司历史新高。（K-IFRS为准）
尽管第一季度通常是行业淡季，但SK海力士的销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润环比增长近两倍，达到37.6万亿韩元。这一强劲表现得益于人工智能（AI）基础设施投资的扩大，推动了高附加值产品的需求增长。
公司表示，在AI相关领域，高带宽存储器（HBM）、大容量服务器DRAM模块以及企业级固态硬盘（eSSD）等产品的销售显著提升，延续了业绩上升势头。据SK海力士分析，随着AI技术从“大型模型训练”向“代理式人工智能（Agentic AI）”阶段演进，DRAM和NAND闪存的需求基础正在全面扩展。
截至第一季度末，公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元，而借款额减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金头寸。
在产品布局方面，SK海力士计划持续推进DRAM和NAND闪存领域的新产品开发与供应。例如，在HBM领域，公司将进一步优化性能、良率、质量和供应稳定性；在DRAM领域，全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM和192GB SOCAMM2已开始量产。
在NAND闪存领域，公司已开始供应基于CTF技术且采用321层QLC技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”。此外，SK海力士将通过高性能TLC和大容量QLC产品组合，全面满足AI数据中心和AI PC存储器市场的需求。
SK海力士强调，当前客户需求持续超出供应能力，能够应对AI时代需求增长的供应能力已成为核心竞争优势。为此，公司将以韩国清州M15X工厂的产能爬坡和龙仁集群建设为核心，推进基础设施建设和EUV设备引进。今年的投资规模将同比大幅增加，以确保中长期需求增长的供应稳定性与财务稳健性。
注：CTF（电荷捕获型技术，Charge Trap Flash）通过将电荷存储在绝缘体中，解决了单元间干扰问题，相比传统浮栅技术具有更小的单元面积和更高的读写性能。NAND闪存芯片根据每个单元存储的信息量，分为SLC、MLC、TLC、QLC等规格，存储量越大，单位面积内可存储的数据越多。
