三星西安NAND工厂减产6%

据报道，三星位于西安的NAND闪存工厂因设备升级导致产量下降，每月晶圆产出较之前的约15万片减少了5%至6%。作为三星唯一的海外存储芯片生产基地，西安工厂在全球NAND闪存生产中占据重要地位，其产能占三星NAND总产量的40%。

目前，该工厂正处于“过渡期”。第一阶段升级已完成，并开始量产236层第8代V-NAND闪存。第二阶段升级计划在今年内完成，目标是实现286层第9代V-NAND闪存的生产。然而，工厂需要同时维持128层V6老产品的供应、提升236层V8新品的良率，并为286层V9产线腾出空间，三条战线并行推进，导致产能受到一定影响。

此次升级短期内可能加剧供应紧张局面。三星选择牺牲当前产量，加速淘汰128层老产线，背后原因与市场竞争和技术限制密切相关。长江存储已实现232层NAND的量产，其价格低于国际品牌，给三星带来不小压力。此外，美国对华半导体出口管制日益严格，三星需赶在监管进一步收紧前完成关键产线升级，以避免未来先进设备无法进入西安工厂。