据市场传闻，联电切入内存代工领域，接获SLC与MLC闪存订单，受此消息影响，其股价在4月中旬涨停，并于20日触及80元新台币。然而，资深分析师陈荣华对此传闻予以澄清，指出“2D NAND实体代工”与“逻辑制程整合eNVM”之间的本质区别。
陈荣华表示，尽管2D NAND市场确实存在缺货现象，但联电并不具备代工能力。存储器与逻辑IC的制程技术完全独立，且存在两大核心矛盾：一是人才断层问题，2D NAND调校工程师多已退休或转岗，即便联电拥有相关设备，良率短期内也难以达到平衡点；二是设备供应难题，老旧微影设备零件停产，而新设备成本远高于NAND售价，经济性难以支撑。
实际上，市场传闻中的“代工”更多指向低容量存储需求转向嵌入式非挥发性内存（eNVM）。联电擅长逻辑制程与eNVM技术，客户讨论的重点在于“以逻辑制程替代外挂SPINAND”，而非真正意义上的NAND晶粒代工。
从存储器行业现状来看，2D NAND的缺货问题确实存在，但联电的核心业务布局仍聚焦于逻辑制程与eNVM领域，而非市场传言的NAND代工。联电7月宣布涨价10%，主要影响集中在NAND控制器相关芯片领域。这一涨价将推高NAND控制器的生产成本，叠加NAND原片本身的涨价趋势，对下游内存模组厂形成双重成本压力，间接影响存储器供应链的成本传导逻辑。
陈荣华强调，联电既无能力也无意愿涉足NAND闪存代工，这一判断源于存储器制程与逻辑IC制程的本质差异。二者在晶圆厂内属于完全独立的生产线，无法互通，且面临人才断层与设备短缺的双重技术与经济悖论。这也是当前存储器代工领域的普遍行业瓶颈。
联电的投资价值更多体现在成熟制程的寡占红利与高现金殖利率，而非“内存概念”。陈荣华建议投资者避开这一“噪声”，并关注联电在逻辑制程领域的实际布局。此外，他指出，联电的涨价将推高终端产品成本，可能对品牌厂商的毛利率造成压力，建议在60-65元新台币分批布局，而80元的股价已显虚高。
