晶盛机电突破12英寸碳化硅晶体生长技术

4月14日，晶盛机电发布最新的投资者关系活动记录表，介绍了公司在碳化硅衬底材料领域的技术进展及产能规划。

晶盛机电通过自主研发的碳化硅单晶生长炉，结合持续优化的8-12英寸长晶工艺，成功攻克了12英寸碳化硅晶体生长中的关键难题，如温场不均和晶体开裂等问题，实现了超大尺寸晶体生长的技术突破。公司已建成12英寸碳化硅衬底加工中试线，并向产业链下游客户送样验证，以满足实际应用需求。

与此同时，晶盛机电积极推进8英寸碳化硅衬底的全球客户验证工作，送样客户范围显著扩大，产品验证进展顺利，已成功获得海内外客户的批量订单。基于碳化硅产业的广阔市场前景，公司在马来西亚槟城启动8英寸碳化硅衬底产业化项目，同时在银川投建配套晶体项目，构建“国内+海外”双轨产能布局，进一步巩固其市场竞争力。