台积电董事长魏哲家近日表示，公司将逐步关闭部分6寸与8寸产线，以释放资源支持先进制程的发展。
据台积电在2026年第1季法说会上透露，台积电一贯优先将中国台湾地区作为最新制程节点的量产基地，主要原因是与研发团队的高效协同效应。目前，受智能手机与AI相关应用需求的推动，2纳米（N2）制程已于2025年第4季进入量产阶段，并在新竹与高雄厂区分阶段顺利推进。通过N2P及后续优化版本如A16的持续改进，N2制程家族有望成为长期且具规模的关键节点。
为应对AI需求的快速增长，台积电打破了“成熟制程节点达标后不再扩产”的惯例，加速3纳米（N3）产能扩充。魏哲家强调，台积电的目标是提供最先进技术与充足产能，支持客户创新，因此正全面推动全球产能布局，以满足智能手机、人工智能（AI）含高带宽存储器（HBM）相关应用、汽车与物联网等多元平台对3纳米技术的长期需求。
在扩产规划方面，南科将新增3纳米产线，预计2027年上半年量产；美国亚利桑那州第2座晶圆厂也将导入3纳米制程，建设已完成，规划2027年下半年投产。日本第2座厂区亦规划导入3纳米技术，预计2028年量产。此外，台积电持续将既有5纳米设备转换为3纳米产能，并通过制造优化提升各厂区生产效率，强化不同节点（N7、N5、N3）之间的弹性调度能力，以最大化整体产出与资源配置效率。
魏哲家强调，即使产能持续紧张，台积电仍将秉持公平原则，不会在客户之间进行差别待遇。在成熟制程策略上，台积电维持既有方向，聚焦高良率与具差异化的专用技术，而非单纯扩张通用产能。例如，日本熊本厂持续强化影像传感与消费性应用，德国厂则聚焦汽车与工业领域。
同时，台积电将逐步关闭部分6寸与8寸产线，释出资源以支持先进制程发展。公司表示，即使进行产线调整，整体产能仍足以支应现有客户需求。
在先进技术蓝图方面，A14将采用第二代纳米片（nanosheet）晶体管架构，并以N2为基础实现新一时代技术跃进。台积电指出，A14相较N2可在相同功耗下提升10~15%运算速度，或在相同性能下将功耗降低25~30%，同时芯片面积缩减近20%，展现效能、功耗与面积（PPA）优化能力。目前A14研发进度顺利，已获智能手机与HPC客户的高度关注与参与，预计于2028年正式量产。
魏哲家表示，台积电通过持续技术创新与全球产能布局，稳健推进长期成长策略，并积极把握下一波半导体产业发展机会。
