近日，中国台湾存储器厂商密集召开法说会，核心信息高度一致：DRAM缺货已成定局，缺口规模超出预期，价格将持续攀升。华邦电总经理陈沛铭在会上表示，AI应用的持续爆发推动了存储器需求的空前增长，其中DDR4供应缺口巨大，难以弥补，且将持续较长时间。
更值得注意的是，SLC NAND闪存的缺口比DRAM更大，价格涨幅甚至超过前者。为应对这一局面，华邦电正在加速扩产。全年资本支出达421亿元新台币，其中24亿元用于台中厂扩充NOR/NAND闪存产能，预计第三季投片产出，全年闪存位元出货量年增30%~40%。台中厂部分DRAM产能已转移至高雄厂，今年DRAM出货量预计增长近100%，第二季涨价幅度与第一季持平，下半年即便涨势放缓，业绩仍将逐季攀升。
此外，高雄厂扩产预计2027年大量产出，今年5至6月将装机高阶设备，重点扩充16纳米产能，目标良率朝90%以上迈进。华邦电去年第四季表现亮眼，单季税后盈余34.22亿元，季增479%、年增4070%，每股税后盈余0.76元创14季新高；全年每股税后盈余0.88元，顺利转亏为盈，创下近三年新高，董事会已决议去年下半年每股配发0.5元现金股利。据华邦电透露，未来扩产计划将稳步推进，以满足市场需求。
